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簡介幾個重要的Bus規格標準

總的來說,一系列與時俱進的Bus規格標準,便是不斷提升在電腦主機與周邊設備之間,資料傳輸速度、容量與品質的應用過程。下面我們就簡介幾個重要的匯流排應用規格標準。
UnitedSiC推出最小導通電阻6mΩ SiC FET 耗損僅競品的一半 (2021.09.14)
碳化矽(SiC)功率元件的應用正快速且廣泛的成長中,尤其是電動車相關的市場,而SiC元件的性能優劣也成為供應商的決勝點。而專注於碳化矽元件技術開發的美商UnitedSiC(聯合碳化矽),今日推出了一款業界最佳的750V SiC FET產品,該元件的導通電阻(RDS on)僅有6mΩ,僅有競爭對手SiC MOSFET產品的一半,並提供了5μs額定短路耐受時間
應用材料助碳化矽晶片製造 加速升級至200毫米晶圓 (2021.09.09)
應用材料公司推出新產品,協助全球領先的碳化矽 (SiC) 晶片製造商,從150毫米晶圓製造升級為200毫米製造,增加每片晶圓裸晶 (die) 約一倍的產量,滿足全球對優質電動車動力系統日益增加的需求
聯華電子與頎邦科技 經股份交換建立策略合作關係 (2021.09.06)
聯華電子、宏誠創投(聯電持股100%子公司)及頎邦科技董事會今日分別通過股份交換案,聯華電子及頎邦科技兩家公司將建立長期策略合作關係。 聯電以先進製程技術提供晶圓製造服務,為IC產業各項應用產品生產晶片,並且持續推出尖端製程技術及完整的解決方案,以符合客戶的晶片設計需求,所提供方案橫跨14奈米到0
盛美發佈首台晶圓級封裝和電鍍應用電鍍設備 (2021.08.31)
盛美半導體設備發佈了新產品—Ultra ECP GIII電鍍設備,以支援化合物半導體(SiC, GaN)和砷化鎵(GaAs) 晶圓級封裝。該系列設備還能將金(Au)鍍到背面深孔制程中,具有更好的均勻性和臺階覆蓋率
拓展碳化矽實力 安森美將收購GT Advanced (2021.08.26)
安森美(onsemi)和碳化矽 (SiC) 生產商GT Advanced Technologies (「GTAT」) 於美國時間8月25日宣佈已達成最終協定,根據該協定,安森美將以4.15億美元現金收購GTAT。 GTAT 成立於 1994 年,在包括 SiC 在內的晶體成長方面擁有豐富的經驗
邊緣運算推升伺服器需求 英飛凌讓電源供應器更小更有效率 (2021.08.15)
全球的數據量正在加速爆走中,尤其是物聯網和邊緣運算應用被逐步導入市場之後,各種機器與設備的資料和數據,就日夜不停地被記錄與傳送到雲端資料中心與伺服器之中,直接推升了各個領域對於伺服器的建置需求
意法半導體製造首批8吋碳化矽晶圓 (2021.08.13)
意法半導體(STMicroelectronics)宣布,ST瑞典Norrkoping工廠製造出首批8吋(200mm)碳化矽(SiC)晶圓,這些晶圓將用於生產下一代功率電子晶片產品原型。將SiC晶圓升級到8吋代表著ST針對汽車和工業客戶的擴產計畫獲得重要階段性的成功
吉利汽車與ROHM締結碳化矽戰略合作 加速汽車領域技術創新 (2021.08.08)
中國汽車製造商吉利汽車集團與ROHM締結了戰略合作夥伴關係,將共同致力於汽車領域的先進技術開發。近日,雙方舉行了戰略合作協定的線上簽約儀式。吉利董事長安聰慧與ROHM董事長松本功均出席了該簽約儀式
Microchip推出耐固性最強的碳化矽功率解決方案 取代矽IGBT (2021.07.28)
Microchip Technology Inc.今日宣佈擴大其碳化矽產品組合,推出一系列高效率、高可靠性的1700V碳化矽MOSFET裸片、分離元件和電源模組。 Microchip的1700V碳化矽技術是矽IGBT的替代產品
科銳攜手邁凌科技 實現新型超寬頻5G技術 (2021.07.14)
科銳 (Cree, Inc.,)宣佈,與美商邁凌科技(MaxLinea)成功合作,結合科銳 Wolfspeed碳化矽基氮化鎵(GaN-on-SiC)中頻功率放大器,和美商邁凌科技超寬頻線性化解決方案(MaxLin),增加了 5G 基地台的無線容量,可支援更多人同時使用,並且提高了資料傳輸速度
ROHM內建SiC二極體IGBT(Hybrid IGBT)「RGWxx65C系列」 損耗減少67% (2021.07.13)
半導體製造商ROHM開發出650V耐壓、內建SiC蕭特基二極體的IGBT(Hybrid IGBT)「RGWxx65C系列」(RGW60TS65CHR、RGW80TS65CHR、RGW00TS65CHR),且均符合汽車電子產品可靠性標準「AEC-Q101」
ROHM推出內建1700V SiC MOSFET小型表面封裝AC/DC轉換IC (2021.06.17)
隨著節能意識的提高,在交流400V工控裝置領域,與現有的Si功率半導體相比,SiC功率半導體支援更高電壓,且更節能、更小型,因此相關應用也越來越廣泛。另一方面,工控裝置中
中國高斯寶採用科銳SiC電晶體 提升伺服器電源效率 (2021.06.13)
科銳公司(Cree)宣布,中國高斯寶電氣(Gospower)將在其次代通用備援電源(CRPS)解決方案中,採用Wolfspeed 650V碳化矽金氧半場效電晶體(MOSFET),來提高電源效率。 科銳指出,Wolfspeed的650V碳化矽MOSFET透過低開關和導通損耗提供高效率,並具有高功率密度的特點,包括更小的體積、更輕的重量和更少的元件數
Silicon Labs推出Si828x版本2 優化SiC FET驅動效能 (2021.05.18)
增加Si828x版本2,使該產品系列能更有效驅動碳化矽(SiC)場效電晶體(FET)閘極,進而滿足半橋和全橋逆變器以及電源供應不斷成長的市場需求,這些設備需要提高功率密度、降低運行溫度並減少開關損耗
英飛凌與日本昭和電工簽約 穩固SiC產品材料供應 (2021.05.11)
英飛凌科技宣布,已與日本晶圓製造商昭和電工簽訂供應契約,供應包括磊晶在內的各種碳化矽材料(SiC)。英飛凌因此可獲得更多基材,滿足對SiC產品日益漸增的需求。 英飛凌工業電源控制事業部總裁Peter Wawer表示
UnitedSiC發佈線上功率設計工具 加速找出理想SiC FET方案 (2021.03.16)
碳化矽(SiC)功率電晶體製造商UnitedSiC推出FET-Jet Calculator,這是一款免費註冊的簡單線上工具,能方便設計人員為不同功率應用和拓撲結構選擇器件和比較器件在其中的效能
深化車電功率元件開發 華域三電與ROHM成立技術聯合實驗室 (2021.03.11)
中國汽車空調製造商華域三電(Sanden Huayu Automotive Air-Conditioning .)與半導體製造商ROHM在位於中國上海的華域三電總部成立了「技術聯合實驗室」,並於2021年1月舉行了啟用儀式
科銳推出新系列SiC功率模組 助電動車快充和太陽能加速量產 (2021.01.21)
碳化矽技術大廠科銳(Cree)宣佈推出Wolfspeed WolfPACK功率模組,擴展其解決方案,提升電動車快速充電、可再生能源、儲能和各種工業電源應用的性能。通過採用1200V Wolfspeed MOSFET技術,該新型模組成功在簡單易用的封裝內實現效率最佳化,幫助設計人員開發出尺寸更小、擴展性更好、效率和性能皆顯著提升的電源系統
擴大SiC功率元件產能 ROHM Apollo環保新廠房完工 (2021.01.13)
面對全球的能源短缺問題,節能將是開發未來電子元件的重要考量,尤其在電動汽車與工業4.0領域,SiC SBD與SiC MOSFET等SiC功率元件,很有可能成為電動車和工業裝置的關鍵元件
報告:SiC將在電動公共汽車市場高速成長 (2021.01.12)
碳化矽(SiC)技術正在滲入電動公共汽車市場。技術開發商Cree|Wolfspeed功率產品市場與應用高級總監Guy Moxey先生表示:「從全球的角度來看,純電動汽車(BEV)預計在2025年將占汽車產量的7%

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10 應用材料助碳化矽晶片製造 加速升級至200毫米晶圓

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