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意法半导体推出单晶片 GaN 闸极驱动器
促进工业和家庭自动化加速、灵活性和高整合度

【CTIMES/SmartAuto 陳玨报导】   2021年09月10日 星期五

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意法半导体(STMicroelectronics;ST)新推出STDRIVEG600半桥闸极驱动器输出电流大,上下桥输出讯号传播延迟为45ns,能够驱动GaN加强型 FET 高频开关。

意法半导体单晶片 GaN 闸极驱动器提升工业和家庭自动化的速度、灵活性和整合度。
意法半导体单晶片 GaN 闸极驱动器提升工业和家庭自动化的速度、灵活性和整合度。

STDRIVEG600的驱动电源电压最高20V,还适用於驱动N沟道矽基MOSFET,在驱动GaN元件时,可以灵活地施加最高6V闸极━源极电压(Gate-Source Voltage;VGS),确保导通电阻Rds(on)保持在较低水准。

此外,驱动器还整合一个自举电路,可最大限度降低物料清单成本,简化电路板布局。自举电路使用同步整流 MOSFET开关二极体,使自举电压达到VCC逻辑电源电压值,让驱动器只勋使用一个电源,而无需低压降稳压器(Low-Dropout Regulator;LDO)。

STDRIVEG600的dV/dt耐量为±200V/ns,确保闸极控制在恶劣的电气环境中具有较高的可靠性。逻辑输入相容最低3.3V的CMOS/TTL讯号,方便与主微控制器或DSP处理器连线。上桥电路耐受电压高达 600V,可用於高压汇流排最高500V的应用领域。

驱动器的输出sink电流/source电流为5.5A/6A,并提供独立导通和关断脚位,让设计人员可以选择最隹的闸极控制方式。此外,上下桥电路皆支援与功率开关源极相连的Kelvin连线方式,以加强控制性能。低边驱动器的专用接地和电源电压脚位可进行Kelvin连线,确保开关操作稳定,并使用分流电阻器侦测电流,而无需额外的隔离或输入滤波电路。

驱动器内建完备的安全保护功能,其中,高低边驱动欠压锁定(UVLO)可以防止功率开关二极体在低效率或危险状况下运行;互锁保护则可以避免开关二极体交叉导通。其他保护功能包括过热保护、省电关闭功能专用脚位。

STDRIVEG600适用於高压PFC、DC/DC和DC/AC转换器、开关电源、UPS电源系统、太阳能发电,以及家电、工厂自动化和工业驱动设备的马达驱动控制等应用。

驱动器提供两款配套开发板,协助设计人员快速启动新专案,其中,EVSTDRIVEG600DG板载一个150mΩ 650V GaN HEMT电晶体,该电晶体采用5mm x 6mm PowerFLAT封装,具备Kelvin Source脚位;EVSTDRIVEG600DM开发板则配备一个STL33N60DM2内建快速恢复二极体的MDmesh 115mΩ 600V矽基MOSFET功率开关,该电晶体采用具有Kelvin驱动源脚位的8mm x 8mm PowerFLAT封装或DPAK封装。STDRIVEG600驱动晶片已量产,采用16脚位SO16封装。

關鍵字: GaN  闸极驱动器  ST  ST 
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