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创意电子展示台积电16奈米低漏电流USB 3.1 PHY IP
 

【CTIMES/SmartAuto 編輯部 报导】   2015年04月07日 星期二

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弹性客制化IC厂商创意电子(GUC)发表采用台积电(TSMC)16奈米FinFET+制程的低漏电流USB 3.1 物理层IP(PHY IP)。此全新IP将于6月15日推出。

此16奈米USB 3.1 PHYIP通过硅验证,支持USB 2.0、3.0及3.1通讯协议,目前可用于USB Type-C接头,为针对数据传输及装置充电功能所设计,适合智能型手机,笔记本电脑和平板计算机等应用。创意电子的USB 3.1 PHY符合 USB 3.1 基本规格,数据传输率高达每秒10Gb,支持PRBS内建自我测试及多种回送模式,参考频率频率有 20/25/40/50/100MHz 可选。

创意电子在美国加州圣荷西举办的台积电技术研讨会(TSMC Technology Symposium)上展示 USB 3.1 PHY,再搭配上瑞萨(Renesas)的USB 3.1主机控制器,将成为以16FF+为基础的USB 3.1 PHY及控制器完整解决方案。

创意电子总裁赖俊豪表示:「我们的16奈米产品组合在加入USB 3.1 PHY IP之后,真正能为ASIC及设计社群提供多样化的高阶技术选项,将可满足整个价值链日后尖端设计的需求。瑞萨控制器与创意电子PHY能够互通,两者的结合势将成为高阶USB 3.1完整解决方案。」

创意电子的IP阵容包括 DDR、高速 SerDes、数据转换器、 ARM 硬核,及多媒体 IP。GUC 拥有极具弹性的 IP 生态系统,能与来自 GUC、台积电及其他厂商的IP共同合作,建立广泛的设计方案。

關鍵字: 16奈米  低リーク電流  USB 3.1  PHY  IP  物理层  硅验证  創意電子  GUC  台積電  瑞薩  瑞薩電子  系統單晶片 
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