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中央大学携手是德 建立第三代半导体研发暨测试开放实验室
 

【CTIMES/SmartAuto 王岫晨 报导】   2021年09月28日 星期二

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是德科技(Keysight)携手国立中央大学光电科学研究中心(National Central University Optical Sciences Center),共同合作提高了GaN、SiC应用研发及测试验证之效率,并加速5G基建及电动车创新之步伐。

新兴宽能隙材料(WBG)的出现,例如氮化??(GaN)与碳化矽(SiC)等,以其高切换速度、低导通损耗以及更高的耐温及承受电压等特性,逐渐导入电源相关之消费性产品、快充、电动车及轨道交通、5G基建、资料中心伺服器等应用,产品比过往精巧且效能更高。然而,相比传统矽基的MOSFET或IGBT,宽能矽材料带来的种种优势也同时增加了其设计及测试难度,比如更为复杂的驱动设计,更快的开关速度带来的振荡以及电磁相容问题等。同时,如何於更高的频率执行高精确度及重复性之动态测试以及实现更接近於真实情况的器件建模和电力电子模拟都是当前极具挑战之课题。

国立中央大学光电科学研究中心(NCUOSC)导入了Keysight PD1500A 动态功率元件分析/双脉冲测试平台,成功建置首屈一指的第三代宽能隙半导体研发能量并提高了测试验证效率。随着JEDEC持续定义WBG元件的动态测试,某些标准化测试开始出现,Keysight PD1500A DPT确定了这些关键效能叁数,例如开关及切换特性、动态导通电阻、动态电流及电压、反向恢复、闸极电荷、输出特性等。

是德科技汽车与能源解决方案事业群??总裁暨总经理Thomas Goetzl表示:「我们很高兴能与国立中央大学展开长期合作,帮助研究团队得以在WBG新一代半导体科技上继续前进,洞察细节,高度集成及部署,并加速创新。」

可靠且可重复的量测方案对於新技术开发(包括宽能隙半导体)的设计和验证至关重要。是德科技的PD1500A DPT具备多项智慧化功能,例如基於IEC和JEDEC标准的全自动叁数提取软件、??圈测试、电压和电流扫描测试以及自动高温测试等,可让测试更为快捷便利,帮助推动未来的创新。

NCUOSC国立中央大学光电科学研究中心主任 辛裕明教授表示:「很高兴与Keysight是德科技展开长期合作,PD1500A单站式的宽能隙功率半导体动态分析系统,有效且可靠地协助实验室团队测量元件及材料特性并开发GaN、SiC等宽能隙半导体之创新应用,在开启、关闭、切换、反向恢复、闸极电荷等动态关键特性之量测效率亦大幅提高。此外,其贴心的安全防护、可扩充、可选配不同闸极驱动GaN功率装置治具之模组化平台亦为将来预留功能升级之弹性。除了PD1500A动态功率元件分析/双脉冲测试平台外,本实验室已经建立8-寸晶圆和封装元件的直流/交流变温测试平台(B1505A/N1265A等),可以在短时间完成GaN、SiC等宽能隙半导体之完整关键特性之量测。非常欢迎产官学先进们不吝赐教并洽谈合作,以期能同为5G/6G及电动车等生态系做出贡献。」

關鍵字: GaN  SiC  Teknoloji 
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