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CTIMES / 電晶體
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電子工業改革與創新者 - IEEE

IEEE的創立,是在於主導電子學的地位、促進電子學的創新,與提供會員實質上的協助。
TDSC推出中壓、高容量、小型封裝的光繼電器 (2017.11.16)
[東京訊](BUSINESS WIRE)東芝電子元件及儲存裝置株式會社(Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation, TDSC)推出一款採用小型2.54SOP4封裝的新型光繼電器TLP3145,該光繼電器關閉狀態輸出端電壓達200V,導通電流為0.4A
宜普電源推出高頻單片式氮化鎵半橋功率電晶體 (2017.06.12)
EPC2111氮化鎵半橋功率電晶體?明系統設計師實現具高效率的負載點系統應用,在14 A、12 V轉至1.8 V、5 MHz開關時實現超過85%效率,及在10 MHz開關時實現超過80%效率。 宜普電源(EPC)推出30 V的增強型單片式半橋氮化鎵電晶體(EPC2111)
意法半導體推出5x6mm雙面散熱微型封裝車用功率MOSFET (2017.06.08)
意法半導體(STMicroelectronics,ST)推出採用先進PowerFLATTM 5x6雙面散熱(Dual-Side Cooling,DSC)封裝的MOSFET電晶體,新品可提升汽車系統電控單元(Electronic Control Unit,ECU)的功率密度,已被汽車零配件大廠電裝株式會社(Denso)所選用,該公司提供全球所有主要車廠先進的汽車技術
Dialog最新電源管理IC可大幅提升數位單眼相機功率效率 (2017.04.20)
高度整合電源管理、AC/DC電源轉換、固態照明 (SSL) 和低功耗藍牙技術供應商 Dialog Semiconductor plc今日發表 DA6102,此為高度整合的電源管理 IC (PMIC),能為數位單眼相機 (DSLR)、無反光鏡相機 (mirrorless camera)及多電池芯鋰離子電池應用提供完整的電源解決方案
EPC eGaN技術在性能及成本上實現質的飛躍 (2017.03.17)
全球增?型氮化鎵電晶體廠商、致力於開發創新的矽基功率場效應電晶體(eGaN FET)及積體電路的宜普電源轉換公司(EPC)推出全新的EPC2045(7微歐姆、100 V)及EPC2047(10 微歐姆、200 V)電晶體,在提升產品性能的同時也可以降低成本
東芝擴大新一代電晶體陣列產品陣容 (2017.03.15)
東芝公司(Toshiba)推出19款新產品,以擴大其配備DMOS FET[1]輸出的新一代電晶體陣列產品陣容,旨在滿足客戶對更廣泛的輸出和輸入方法以及功能的需求。TBD62xxxA系列擁有37款現有產品,這些新元件的加入進一步擴大了該系列的產品陣容,它們廣泛應用於馬達、繼電器、LED和控制通訊線路電平位移器等各種應用領域
瑞薩成功開發「鰭狀MONOS快閃記憶體單元」 (2017.02.03)
適用於16/14奈米以上製程節點的高效能、高可靠性微控制器 瑞薩電子(Renesas)宣佈成功開發全球首創採用鰭狀電晶體的分離閘金屬氧氮氧矽(SG-MONOS)快閃記憶體單元,適用於電路線寬僅16至14奈米(nm)或更精細的微控制器(MCU)製程,且其中晶片內建快閃記憶體
德州儀器600V GaN FET功率級徹底改變高效能電力轉換 (2016.05.03)
根植於數十年的電源管理創新經驗,德州儀器(TI)推出一款600V氮化鎵(GaN)70 mU場效應電晶體(FET)功率級工程樣本,進而使TI能夠向大眾供應高壓驅動器整合的GaN解決方案的半導體廠商
高效汽車音響系統電源IC 將電源系統架構最佳化 (2016.03.01)
傳統汽車音響用系統電源IC,雖然設計較為容易,但因構造是以效率不佳的線性穩壓器為中心,當各種設置運作時,就會面臨到功率效率的問題。因此,系統電源IC也開始必須採用高效率的DC/DC轉換器,對於高效率電源IC的要求已經愈來愈高
東芝推出搭載1.5A漏型輸出驅動器的DMOS FET電晶體陣列 (2015.12.22)
東芝(Toshiba)旗下半導體與儲存產品公司推出新一代高效率電晶體陣列「TBD62064A系列」和「TBD62308A系列」,新一代產品搭載DMOS FET型漏型輸出(sink- output)驅動器。這些新系列產品是已廣泛應用於馬達、繼電器和LED驅動器等各種應用的雙極電晶體陣列TD62064A系列和TD62308A系列的後繼系列,而且是搭載1.5A漏型輸出驅動器的DMOS FET電晶體陣列
意法半導體推出1500V超接面功率MOSFET讓電源應用環保又安全 (2015.11.09)
意法半導體(STMicroelectronics,ST)的新系列功率MOSFET讓電源設計人員實現產品效能最大化,同時提升工作穩健性及安全系數。MDmeshTM K5產品是擁有超接面技術優勢及1500V漏極-源極(drain-to-source)崩潰電壓(breakdown voltage)的電晶體,並已獲亞洲及歐美主要客戶導入於其重要設計中
Littelfuse高可靠性瞬態抑制二極體系列適合航空航太應用 (2015.07.01)
Littelfuse公司日前宣佈推出六個高可靠性瞬態抑制二極體系列,其均經過升級篩選,適用於航空航太應用,另可提供可定制升級篩選和分類處理流程。5KP/15KPA/30KPA-HR和5KP/15KPA/30KPA-HRA系列高可靠性瞬態抑制二極體專為保護敏感的電子設備免遭雷電浪湧和其他瞬態電壓事件引起的瞬態電壓的損害而設計
意法半導體新推出1200V IGBT低頻電晶體 (2015.06.26)
意法半導體(STMicroelectronics,ST)推出S系列 1200V IGBT絕緣閘極雙極性電晶體。當開關頻率達到8kHz時,新系列的雙極元件擁有低導通及關斷耗損,大幅提升不間斷電源、太陽能發電、電焊機、工業馬達驅動器等相關設備的電源轉換效率
Diodes高壓穩壓器電晶體為微控制器提供5V電源 (2015.03.27)
Diodes公司推出新穩壓器ZXTR2105F,該產品整合電晶體、齊納二極體及電阻器單片式,有效在高達60V的輸入情況下提供5V 15mA的輸出。這款穩壓器電晶體採用了小巧的SOT-23封裝,可減少元件數量,以及節省微控制器應用的印刷電路板面積,例如個人電腦和伺服器的直流散熱風扇,以及工業與汽車市場的馬達驅動器、排氣扇和感測器應用
英飛凌與Panasonic為常關型600V氮化鎵功率半導體建立雙供應源 (2015.03.17)
英飛凌科技(Infineon)與 Panasonic公司宣佈雙方將共同開發以 Panasonic 常關型(強化模式)矽基板氮化鎵電晶體結構為基礎的氮化鎵 (GaN) 產品,並整合至英飛凌的表面黏著裝置(SMD)封裝
Fairchild新型SuperFET II MOSFET系列提供最低通導電阻與廣泛封裝範圍 (2015.03.10)
高效能電源半導體解決方案供應商Fairchild推出800V SuperFET II MOSFET 系列,具備廣泛的封裝選項以及最低的通導電阻(Rdson)與輸出電容(Coss)。全新產品陣容協助設計人員針對需要600V / 650V以上的崩潰電壓的高效能解決方案,改善效率、成本效益與可靠度,更減少了元件數量,精簡機板空間,為設計人員帶來更大的彈性
Diodes微型場效電晶體節省40%空間 (2015.02.13)
Diodes公司為提供空間要求嚴格的產品設計,擴充了旗下超小型分立元件產品系列。新推出的3款小訊號MOSFET包括20V和30V額定值的N通道電晶體,以及30V額定值的P通道元件,產品全都採用DFN0606微型封裝
宜普演示板採用氮化鎵場效應電晶體實現音頻高效 (2015.02.06)
宜普電源轉換公司(EPC)推出新款採用具備高頻開關性能的氮化鎵功率電晶體的D類音頻放大器參考設計(EPC9106)採用 Bridge-Tied-Load(BTL)設計,包含四個接地的半橋輸出功率級電路,使得設計可以升級及擴展
Diodes全新微型電晶體佔位面積縮減40% (2015.01.30)
Diodes公司推出採用DFN0606封裝的NPN電晶體MMBT3904FZ和BC847BFZ,以及PNP電晶體MMBT3906FZ和BC857BFZ。新產品的電路板面積僅0.36mm2,比採用DFN1006 (SOT883) 封裝的同類型元件小40%,並能提供相等甚至更佳的電氣效能
宜普電源推出單片式氮化鎵半橋功率電晶體 (2015.01.23)
宜普電源轉換公司(EPC)推出EPC2102(60 V)及EPC2103(80 V)增強型單片式氮化鎵半橋元件。可推動48 V轉12 V降壓轉換器在20 A輸出電流下實現超過97%的系統效率。在於透過整合兩個eGaN功率場效應電晶體而成為單個元件可以除去印刷電路板上元件之間的相連電感及空隙,使電晶體的占板面積減少50%

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