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CTIMES / 肖特基二極體
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攀上傳輸頂巔──介紹幾個數位顯示介面標準

當傳輸技術進入數位時代之後,使用者及廠商對於數位顯示的品質要求越來越注重,結合顯示卡硬體的數位顯示介面標準,其發展進度因而更受到矚目。
東芝推出最新低熱阻及低逆向電流之肖特基二極體 (2018.07.16)
東芝電子元件及儲存裝置株式會社推出新型肖特基障壁二極體產品CUHS10F60,主要用於電源電路整流和回流預防等應用。 CUHS10F60在其新開發的US2H封裝中採用105°C/W低熱阻,封裝代碼為SOD-323HE,該封裝的熱阻較傳統USC封裝降低約50%,散熱效果更佳
英飛凌推出車用CoolSiC肖特基二極體 結合效能與耐用性 (2018.06.19)
英飛凌科技股份有限公司首款車用碳化矽系列CoolSiC肖特基二極體系列於日前PCIM展會上亮相,該款肖特基二極體已準備就緒,可用於目前和未來油電混合車和電動車中的車載充電器 (OBC) 應用
安森美推出碳化矽二極體 提供高能效、高功率密度 (2018.03.01)
安森美半導體(ON Semiconductor)推出最新650 V碳化矽(SiC)肖特基二極體(Schottky diode)系列產品,擴展SiC二極體產品組合。這些二極體的先進碳化矽技術提供更高的開關效能、更低的功率損耗,並輕鬆實現元件並聯
Littelfuse推出經擴展的碳化矽肖特基二極體產品系列 (2018.01.24)
Littelfuse, Inc.推出四個隸屬於其第2代產品家族的1200V碳化矽(SiC)肖特基二極體系列產品,該產品家族最初於2017年5月發佈。 LSIC2SD120A08系列、LSIC2SD120A15系列和LSIC2SD120A20系列的額定電流分別為8A、15A、20A,並採用主流的TO-220-2L封裝
英飛凌第六代 650 V CoolSiC肖特基二極體可快速切換 (2017.10.02)
【德國慕尼黑訊】英飛凌科技(Infineon)推出650 V CoolSiC肖特基二極體G6。這項 CoolSiC二極體系列的最新發展以G5的獨特特性為基礎,提供可靠性、高品質及更高的效率。CoolSiC G6二極體讓600 V與650 V CoolMOS 7系列的功能更臻完善,適用於伺服器、PC電源、電信設備電源及PV變頻器等目前與未來的應用
Diodes推出新款可程式化調光LED驅動器 (2016.10.21)
Diodes公司推出AL3050電流模式升壓型LED驅動器,為攜帶型設備的LED背光提供可程式化亮度功能。這款產品具有先進的調光特點、小尺寸、低BOM成本和高效率的優點,適合帶有小型LCD面板的單鋰電池設備,例如多功能/智慧手機、攜帶型媒體播放機、GPS接收器以及其他高移動性裝置
Littelfuse將於2016年PCIM Europe展示市場應用解決方案 (2016.05.10)
全球電路保護領域的企業 Littelfuse公司,將出席2016年5月10-12日在德國紐倫堡舉行的2016年PCIM Europe展。該展會是展示電力電子領域最新發展的世界盛會之一。 本次展會上,Littelfuse將在7-140展臺(7廳)展示兩個全新的電源半導體系列:碳化矽(SiC)肖特基二極體和矽IGBT技術
Vishay結合20V n通道功率MOSFET及肖特基二極體 (2008.12.17)
Vishay宣佈推出超小的20V n通道功率MOSFET+肖特基二極體。SiB800EDK採用1.6mm×1.6mm的熱增強型 PowerPAK SC-75封裝,其將在100 mA時具有0.32V低正向電壓的肖特基二極體與具有在低至 1.5V柵極驅動時規定的額定導通電阻的MOSFET進行了完美結合
Vishay推出30V單片功率MOSFET和肖特基二極體 (2008.09.30)
Vishay宣佈推出首款採用具頂底散熱通路的封裝的30V單片功率MOSFET和肖特基二極體,其可在具有強迫通風冷卻功能的系統中高性能運作。新型SkyFET SiE726DF器件採用具有雙面冷卻功能的PolarPAK封裝,可提升高電流、高頻運用的效率
Vishay推出高性能45V肖特基二極體 (2008.07.14)
Vishay Intertechnology, Inc.宣佈推出最大結溫高達+175°C的業界首款新型第五代(Gen. 5.0)高性能45V肖特基二極體。30CTT045與60CPT045器件基於亞微米溝槽技術,可提供超低的正向壓降以及低反向漏電流,從而可使設計人員提升汽車及其他高溫應用中的功率密度

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