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VOD(Video-On-Demand) -隨選視訊技術

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系統複雜度升級 數位電源讓供電難題迎刃而解 (2018.11.28)
數位電源可讓系統設計人員節省PCB空間,來增加更多功能電路。除了可以縮短開發時間、降低成本之外,還能快速將產品推向市場。
EiceDRIVER 搭配 CoolMOS CFD2 可實現優異冷藏效率 (2018.10.25)
本文說明閘極驅動器電路有效設計的基本考量,以及結合運用 EiceDRIVER IC 及 CoolMOS CFD2 所帶來的效益。
技術領先同業 羅姆半導體攤位兩大明星商品吸睛 (2018.10.24)
18日於集思台大會議中心柏拉圖廳舉行的「車聯網技術趨勢研討會」,場外多家廠商的展示攤位紛紛推出主力產品,與會者莫不駐足觀賞。
Littelfuse推出1700V、10hm碳化矽MOSFET (2018.10.23)
Littelfuse公司推出其首款1700V碳化矽MOSFET LSIC1MO170E1000,擴充碳化矽MOSFET器件組合。LSIC1MO170E1000既是Littelfuse碳化矽MOSFET產品的重要補充,也是Littelfuse公司已發佈的1200V碳化矽MOSFET和蕭特基二極體的強有力補充
宜特FSM化鍍服務本月上線 無縫接軌BGBM晶圓薄化製程 (2018.09.20)
電源管理零組件MOSFET在汽車智慧化崛起後供不應求,為填補供應鏈中此一環節的不足,在半導體驗證分析領域深耕多年的宜特科技,正式跨攻「MOSFET晶圓的後段製程整合服務」,其中晶圓薄化-背面研磨/背面金屬化(簡稱BGBM,Backside Grinding/ Backside Metallization)製程,在本月已有數家客戶穩定投片進行量產,線上生產良率連續兩月高於99.5%
英飛凌推出 950 V CoolMOS P7 超接面 MOSFET 適用於 PFC 與返馳拓撲 (2018.09.07)
英飛凌科技股份有限公司CoolMOS P7 系列推出 950 V CoolMOS P7 超接面 MOSFET 新產品,符合最為嚴格的設計要求:適用於照明、智慧電錶、行動充電器、筆電電源供應器、輔助電源供應器,以及工業 SMPS 應用
東芝推出新一代Superjunction功率MOSFET (2018.08.31)
東芝電子元件及儲存裝置株式會社(東芝)推出新一代650V Superjunction功率MOSFET – TK040N65Z其用於資料中心的伺服器電源、太陽能(PV)功率調節器、不斷電系統(UPS)及其他工業應用
東芝推出散熱效果更佳40V Nch功率MOSFETs 符合AEC-Q101標準 (2018.08.21)
東芝電子元件及儲存裝置株式會社(東芝)推出兩款可應用於車用相關設計最新40V Nch MOSFET – TPWR7904PB & TPW1R104PB,可應用於電動輔助轉向系統、負載開關、電動幫浦。 此款IC為U-MOS第九代晶片採用溝槽式結構,其確保高散熱及低電阻的特性
意法半導體電隔離柵極驅動器 控制並保護SiC、MOSGET、IGBT (2018.08.15)
意法半導體(STMicroelectronics)的STGAP2S單路隔離柵極驅動器提供26V的最大柵極驅動輸出電壓,能讓使用者選擇獨立的導通/關斷輸出或內部主動米勒鉗位功能,其可使用於各種開關拓撲控制碳化矽(SiC)或矽MOSFET和IGBT功率電晶體
東芝推出功率MOSFET閘極驅動智慧功率元件 (2018.08.06)
東芝電子元件及儲存裝置株式會社(東芝)推出針對車用三相無刷馬達應用的小型化功率MOSFET閘極驅動智慧功率元件(IPD)。此款IC可應用於12V電動輔助轉向系統(EPS)、油/水泵、風扇馬達和電動渦輪增壓器等相關車用馬達驅動產品
ADI高效率N通道切換開關湧浪抑制器 對150V瞬變提供保護 (2018.07.27)
亞德諾半導體(ADI)宣佈推出Power by Linear LTC7862,該元件為一款具有過壓和過電流保護的高效率切換開關湧浪抑制器,適於高可靠性系統應用。 LTC7862 可驅動一N 通道功率 MOSFET 級
搭載整合型MOSFET的最佳化降壓穩壓器將功率密度提升至新水準 (2018.07.26)
整合是固態電子產品的基礎,理想的方案是將所有降壓轉換器功能整合到一個單一、小型及高能效的元件中,以提供更強大的整體系統優勢。
英飛凌發表CoolSiC MOSFET產品 兼具高性能與可靠度 (2018.07.24)
德國半導體元件商英飛凌(Infineon)今日在台北宣布推出新一代搭載CoolSiC技術的MOSFET系列產品,透過其獨特的碳化矽 (SiC) 溝槽式 (Trench) 技術,提供高性能、高可靠度、高功率密度,且具成本效益的電源解決方案
意法半導體高功率電子式保險絲 提供整合型保護功能 (2018.07.20)
意法半導體(STMicroelectronics)STEF01可程式設計電子式保險絲,整合低導通電阻RDS(ON)的VIPower MOSFET功率管,在8V到48V的寬輸入電壓範圍內,能夠維持高達4A的連續電流,不僅損耗低,還能將動作快速超載保護之優勢延續到額定功率更高的應用產品
Diodes Incorporated離線式變壓器專用小型同步整流MOSFET驅動器 (2018.07.18)
Diodes Incorporated推出 APR346 二次側同步整流 MOSFET 驅動器,可將 AC 電源轉成 DC 電源,提供 5V 至 20V 的電壓,提升離線式變壓器的效率。 APR346 可運作於連續導通模式 (CCM)、不連續導通模式 (DCM) 與準共振模式 (QR),旨在驅動外部 MOSFET,充分發揮同步整流 (SR) 效益
宜特跨攻MOSFET晶圓後段製程整合服務 (2018.06.30)
隨著電子產品功能愈來愈多元,對於低功耗的要求也愈來愈高, MOSFET成為車用電子、電動車勢不可擋的必備功率元件,而在目前市面上產能不足,客戶龐大需求下,宜特科技宣布正式跨入「MOSFET晶圓後段製程整合服務」
安森美推出新多晶片模組PWM降壓穩壓器系列 (2018.06.27)
安森美半導體(ON Semiconductor)推出3款新的高能效中壓脈寬調變(PWM)降壓轉換器。 安森美半導體新的FAN6500X 降壓轉換器系列支援4.5 V至65 V的寬輸入電壓範圍,輸出電流高達10 A,輸出功率為100 W,結合經歷時間測試的固定頻率控制方法與靈活的Type III補償和穩健的故障保護
Wolfspeed最新1200V SiC MOSFET 促進電動車市場發展 (2018.06.26)
科銳旗下Wolfspeed於近日宣佈推出最新第三代1200V碳化矽SiC MOSFET系列,為電動汽車動力傳動系統帶來性能突破。 這一開關元件能夠實現高電壓功率轉換,進一步鞏固Wolfspeed在電動汽車生態系統解決方案領域的領先地位
美高森美推出專門用於SiC MOSFET的極低電感SP6LI封裝 (2018.05.30)
美高森美公司(Microsemi Corporation) 發佈專門用於高電流、低導通阻抗(RDSon) 碳化矽 (SiC) MOSFET功率模組的極低電感封裝。 這款全新封裝專為用於其SP6LI 產品系列而開發,提供適用於SiC MOSFET技術的2.9 nH雜散電感,同時實現高電流、高開關頻率以及高效率
美高森美下一代1200 V SiC MOSFET樣品和700 V SBD (2018.05.29)
美高森美公司 (Microsemi Corporation) 宣佈在下季初擴大其碳化矽(SiC) MOSFET和SiC二極體產品組合,包括提供下一代1200 V、25 mOhm和80 mOhm SiC MOSFET器件的樣品,及下一代700 V、50 A 蕭特基勢壘二極體(SBD)和相應的裸晶片

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