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CTIMES / 快閃記憶體
科技
典故
Internet的起源

組成Internet的兩大元件,一是作為傳達內容的本體—超文本,另一個是傳輸的骨幹—網路,網際骨幹可追溯到1968年的美俄冷戰時期,當時美國國防部的DARPA計畫發展出ARPANET,網頁結構則是由超文件(Hypertext)演變而來。
聯手抗韓 東芝半導體174億美元出售威騰 (2017.08.30)
歷經大半年協商與談判,美國威騰電子(WD)確定將以1.9兆日圓(約174億美元)收購東芝半導體(TMC),成為出售案的最終勝利者,並持續將收購資金力爭至2兆日圓。據悉,東芝社長與威騰執行長也正在東京兩方公司高層會談中敲定相關細節,並將在31日東芝董事會上正式對外公布
Xilinx可重組儲存加速解決方案亮相2017快閃記憶體高峰會 (2017.08.14)
美商賽靈思(Xilinx)宣布在2017年快閃記憶體高峰會(Flash Memory Summit 2017)展出可重組儲存加速解決方案。賽靈思與其合作夥伴透過一系列演講與展示,特別展現了高效能儲存解決方案在企業與資料中心現階段及下一代的應用
Western Digital發表可應用於3D NAND的X4技術 (2017.07.31)
全球儲存技術和解決方案供應商Western Digital公司發表開發出適用於64層3D NAND (BiCS3) 的X4 (每單元4位元) 快閃記憶體架構技術。憑藉之前開拓創新的X4 2D NAND 技術、成功商品化的經驗及深厚扎實的垂直整合能力,Western Digital再次成功研發推進適用於3D NAND的X4架構技術
群聯電子竹南三期廠辦正式啟用 (2017.06.19)
快閃記憶體(NAND Flash)控制晶片解決方案廠商群聯電子於竹南基地舉行三期廠辦啟用典禮,由潘健成創辦人暨董事長親自主持,並與歐陽志光總經理、楊俊勇監察人、許智仁技術副總、伍漢維經理等4位共同創辦人,以及鄺宗宏副總率先開幕剪綵恭迎眾貴賓
瑞薩成功開發「鰭狀MONOS快閃記憶體單元」 (2017.02.03)
適用於16/14奈米以上製程節點的高效能、高可靠性微控制器 瑞薩電子(Renesas)宣佈成功開發全球首創採用鰭狀電晶體的分離閘金屬氧氮氧矽(SG-MONOS)快閃記憶體單元,適用於電路線寬僅16至14奈米(nm)或更精細的微控制器(MCU)製程,且其中晶片內建快閃記憶體
捷鼎國際全新NeoSapphire 3602全快閃記憶體儲存陣列 (2017.01.19)
捷鼎國際 (AccelStor) 全新的 NeoSapphire 3602 全快閃記憶體儲存陣列在國際組織儲存效能協會 (Storage Performance Council, SPC) 「前十大最佳性價比產品」排行中,榮獲第三。根據儲存效能協會最新的SPC-1測量結果,NeoSapphire 3602以每 SPC-1 IOPS僅需花費0.20美元 (約新台幣6元),在排行榜中名列第三
捷鼎國際發表全新旗艦級全快閃記憶體儲存陣列 (2016.12.07)
軟體定義全快閃記憶體儲存陣列供應商捷鼎國際 (AccelStor) 發表最新旗艦級全快閃記憶體儲存陣列 NeoSapphire P710。P710 將效能推升至全新層次,4KB 隨機寫入超過 700K IOPS,並新增一系列豐富的軟體功能
Tektronix針對ONFI快閃記憶體標準推出測試解決方案 (2016.11.28)
Tektronix(太克科技)推出針對開放式NAND快閃介面(ONFI)標準的測試解決方案。ONFI 4.0測試解決方案可用於Tektronix高效示波器,包括可分析ONFI匯流排上DDR2/3模式的軟體,以及介面板為基礎的有效探測解決方案
捷鼎國際獲Silicon Review雜誌評選為2016全球50家最聰明企業 (2016.10.27)
軟體定義全快閃記憶體儲存陣列供應商捷鼎國際 (AccelStor) 榮獲美國專業雜誌 Silicon Review 高度肯定,名列 2016 年全球 50 家最聰明企業 (50 Smartest Companies of the year 2016)。這次獲獎是對捷鼎國際一路以來的努力作出充分肯定,表揚捷鼎國際將創新的快閃記憶體軟體技術落實應用於各產業領域
Microchip大中國區技術精英年會開始接受報名 (2016.10.06)
全球整合微處理控制器、混合訊號、類比元件和快閃記憶體矽智財解決方案供應商—Microchip所舉辦的大中國區技術精英年會(Greater China MASTERs Conference),今天宣佈開始接受報名
愛德萬測試T5851測試機台獲快閃記憶體高峰會頒最佳參展項目獎 (2016.09.07)
半導體測試廠商愛德萬測試(Advantest)的測試機台—T5851日前於8月9日至11日在美國加州聖克拉拉舉行的第11屆年度快閃記憶體高峰會(Flash Memory Summit;FMS),勇奪快閃記憶體與固態儲存產業最高榮譽的「最佳參展項目獎」(Best of Show Award)
瑞薩與台積電合作開發車用28奈米MCU (2016.09.01)
瑞薩電子與台積公司合作開發28奈米嵌入式快閃記憶體(eFlash)製程技術,以生產支援新世代環保汽車與自動駕駛車的微控制器(MCU)。採用此全新28奈米製程技術生產的車用MCU預計於2017年提供樣品,2020年開始量產
希捷:軟體與SSD無縫接軌 協助企業加速營運動能 (2016.08.16)
希捷科技(Seagate)日前於快閃記憶體高峰會 (Flash Memory Summit) 宣布推出兩款創新快閃儲存產品,一舉推升企業資料中心的儲存運算效能。新品包括歷來參展產品中容量最高的固態硬碟(SSD) — 60TB SAS SSD
SST推出已驗證GLOBALFOUNDRIES BCDLite製程嵌入式SuperFlash產品 (2016.07.13)
Microchip公司日前透過其子公司Silicon Storage Technology(SST)推出已通過驗證的、基於GLOBALFOUNDRIES 130 nm BCDLite技術平台的、SST低光罩數嵌入式SuperFlash非揮發性記憶體(NVM)產品
PLD克服高常用系統的設計挑戰 (2016.05.11)
高常用性系統如伺服器、通訊閘道和基站等需要持續作業。一旦安裝後,即需透過軟體升級來增強系統功能和修復錯誤。PLD常用於支援系統內的設計更新。
意法半導體推出新款STM32 Nucleo開發板 (2016.03.03)
意法半導體(STMicroelectronics,簡稱ST)推出尺寸精巧的STM32 Nucleo-144系列開發板,加強其對STM32系列32位元快閃記憶體微控制器的支援。新款144針腳開發板進一步擴大現有STM32開發生態系統範圍,透過提升板上連接通訊功能,讓客戶能夠使用任何一款STM32微控制器快速開發應用
瑞薩電子開發90奈米單電晶體MONOS快閃記憶體技術 (2016.02.26)
瑞薩電子(Renesas)宣佈開發90奈米(nm)單電晶體MONOS (1T-MONOS)快閃記憶體技術,可結合各種製程如CMOS與雙極CMOS DMOS(BiCDMOS),並提供高程式/抹除(P/E)耐受性及低重寫耗電量
Atmel全新8位tinyAVR擁有1kB快閃記憶體 (2016.02.24)
Atmel公司在2016年德國嵌入式系統展(Embedded World 2016)上宣佈,推出帶有1kB快閃記憶體的低功耗8位MCU。全新ATtiny102/104 MCU的運行速度最高可達12 MIPS(每秒百萬條指令),並整合了此前僅在大型MCU上擁有的特性,使它們成為小型應用的理想之選,這些應用包括邏輯置換以及消費、工業和家庭自動化市場的最新成本優化應用
東芝購地興建半導體生產新工廠 (2016.02.04)
東芝公司(Toshiba)收購一個面積為15萬平方公尺的土地,來為其專有3D快閃記憶體BiCS FLASH未來的擴大生產做準備,該地毗鄰公司位於三重縣四日市的記憶體生產基地。該地與這一記憶體生產基地的東部和北部毗連,將耗資大約30億日圓
東芝推出全新藍牙低功耗晶片搭載內建快閃記憶體 (2015.11.24)
東芝半導體(Toshiba)推出兩款全新藍牙晶片TC35675XBG和TC35676FTG/FSG,均支援低功耗(LE)4.1版通訊。其中,TC35676FTG/FSG搭載快閃記憶體,而TC35675XBG同時支援快閃記憶體和點對點通訊的NFC Forum Type 3 Tag

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