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CTIMES / 碳化矽
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研究网络工程的团队 - IETF

IETF是Internet Engineering Task Force (国际网络工程研究团队)是一个开放性的国际组织,其作用在于汇集网络设计师、网络操作员、网络厂商,以及研究人员共同研发改进网络的工程架构与建立起一个平稳的网络环境。
英飞??推出分离式CoolSiC MOSFET模组化评估平台 助碳化矽成为主流 (2020.05.25)
双脉冲测试是设计人员要了解功率装置切换特性的标准程序。为方便测试1200V CoolSiC MOSFET采用TO247 3针脚和4针脚封装的驱动选项,英飞凌科技推出模组化评估平台,其核心包含一个主板与可互换的驱动器卡板,驱动器选项包括米勒钳制和双极供电卡;其他版本将於近期内推出
GTAT和安森美半导体签署碳化矽材料供应协议 提高宽能隙材料全球供应 (2020.03.19)
GT Advanced Technologies(GTAT)和安森美半导体(ON Semiconductor),宣布执行一项为期五年的协议,总价值可达5,000万美元。根据该协定,GTAT将向高能效创新的全球领袖之一的安森美半导体生产和供应CrystX 碳化矽(SiC)材料,用於高增长市场和应用
Microchip扩展碳化矽电源晶片产品线 提升能源效率、尺寸和可靠性 (2020.03.17)
业界希??基於碳化矽(SiC)的系统能大幅提升效率、减小尺寸和重量,协助工程师研发创新的电源解决方案;这一需求正在持续、快速地增长。SiC技术的应用场景包括电动汽车、充电站、智慧电网、工业电力系统、飞机电力系统等
罗姆子公司SiCrystal和意法半导体宣布碳化矽晶圆长期供应协议 (2020.01.16)
罗姆和半导体供应商意法半导体(STMicroelectronics;ST)宣布与罗姆集团旗下在欧洲SiC晶圆市占率第一的SiCrystal公司签署一项碳化矽(SiC)晶圆长期供应协议。协定规定,SiCrystal向意法半导体提供总价超过1.2亿美元之先进150mm碳化矽晶片,满足时下市场对碳化矽功率元件日益成长的需求
ROHM旗下SiCrystal与ST达成碳化矽晶圆长期供货协议 (2020.01.15)
半导体制造商ROHM和意法半导体(ST)宣布,双方已就罗姆集团旗下的SiCrystal GmbH(SiCrystal)长期供应碳化矽(SiC)晶圆事宜达成协定。 在SiC功率元件快速发展及其需求急速增长的背景下,双方达成价值超过1.2亿美元的协议,由拥有欧洲最大SiC晶圆产能的SiCrystal,针对为多样电子设备供货的全球半导体厂ST,提供先进的150mm SiC晶圆
Cree和ST扩大现有碳化矽晶圆供货协定并延长协定期限 (2019.11.22)
Cree和半导体供应商意法半导体(STMicroelectronics,ST)宣布,双方将现有碳化矽(SiC)晶圆多年长期供货协定总价提升至5亿美元以上,并延长协定有效期限。这份延长供货协议相较原合约总价提升一倍
科锐与采埃孚推进电驱动领域合作 (2019.11.06)
全球碳化矽(SiC)半导体企业科锐(Cree, Inc.)与德国采埃孚(ZF Friedrichshafen AG)宣布达成战略合作,开发业界领先的高效率电传动设备。 通过此次战略合作,科锐与采埃孚将强化现有的合作
碳化矽半导体可提升电动车效率 博世让电动交通科技往前迈进一步 (2019.10.25)
现今汽车已大量使用半导体。实际上,每一台新车使用超过50颗半导体。博世开发的新型碳化矽(SiC)晶片,将让电动交通再向前迈进一大步。未来此种特殊材料所制造的晶片将会引领电动车与油电混合车控制器的电力电子技术的发展
Cree和意法半导体宣布碳化矽晶圆长期供货协议 (2019.01.10)
Cree宣布签署一份长期供货协议,为横跨多重电子应用领域的全球领先半导体供应商意法半导体 (STMicroelectronics,简称ST)生产和供应Wolfspeed 碳化矽(SiC)晶圆。按照该协议规定,在目前碳化矽功率元件市场需求明显成长的期间,Cree将向意法半导体提供价值2.5亿美元之150mm先进碳化矽裸晶圆与磊晶晶圆
英飞凌收购碳化矽商Siltectra SiC晶片产能将倍增 (2018.11.19)
英飞凌科技宣布收购位於德国德勒斯登的新创公司 Siltectra 。该新创公司开发一种创新的冷切割技术 ( Cold Split ),可有效处理晶体材料,并可大幅减少材料损耗。英飞凌将采用此 Cold Split 技术分割碳化矽 (SiC) 晶圆,使晶圆产出双倍的晶片数量
UnitedSiC发布全新UF3C FAST碳化矽FET系列产品 (2018.11.06)
碳化矽(SiC)功率半导体制造商UnitedSiC宣布推出采用标准TO-247-3L封装之UF3C FAST系列650V和120V高性能碳化矽FET。相较现有UJC3系列,FAST系列具有更快的切换速度和更高的效率水准
Littelfuse推出1700V、10hm碳化矽MOSFET (2018.10.23)
Littelfuse公司推出其首款1700V碳化矽MOSFET LSIC1MO170E1000,扩充碳化矽MOSFET器件组合。LSIC1MO170E1000既是Littelfuse碳化矽MOSFET产品的重要补充,也是Littelfuse公司已发布的1200V碳化矽MOSFET和萧特基二极体的强有力补充
碳化矽晶圆全球产能有限 市场仍处於短缺中 (2018.10.07)
相较於矽(Si),采用碳化矽(SiC)基材的元件性能优势十分的显着,尤其是在高压与高频的性能上,然而,这些优势却始终未能转换成市场规模,主要的原因就出在碳化矽晶圆的制造和产能的不顺畅
低耗能、小型化 碳化矽的时代新使命 (2018.10.03)
为了让电子产品能朝低耗能、高效率与小型化等三大主流趋势发展,便需要效率更高、性能更好且要能小型化的新一代功率元件。碳化矽独特的物理特性,正适合用於满足这些需求
碳化矽元件的市场发展关键:晶圆制造 (2018.10.03)
碳化矽有很高的硬度,仅次於金刚石,需要在极高温才能烧熔,再加上生产条件的控制难度大,导致碳化矽晶圆量产不易,直接影响了终端晶片与应用的发展。
贸泽供应Qorvo QPD1025L碳化矽基氮化??电晶体 适合航空电子应用 (2018.05.31)
贸泽电子即日起开始供应Qorvo的QPD1025L碳化矽基氮化?? (GaN-on-SiC) 电晶体。 QPD1025在65V的运作功率达1.8 kW,为业界功率最高的碳化矽基氮化?? (GaN-on-SiC) 射频电晶体,拥有高讯号完整度和延伸的涵盖范围,适合L波段航空电子和敌我识别 (IFF) 应用
APEC 2018Littelfuse推出超低导通电阻1200V碳化矽MOSFET (2018.03.16)
Littelfuse公司与从事碳化矽技术开发的美商Monolith Semiconductor推出两款1200V碳化矽(SiC) n通道增强型MOSFET,进而扩展第一代电源半导体元件组合。Littelfuse与Monolith在2015年结成战略合作关系,旨在为工业和汽车市场开发电源半导体
安森美推出碳化矽二极体 提供高能效、高功率密度 (2018.03.01)
安森美半导体(ON Semiconductor)推出最新650 V碳化矽(SiC)肖特基二极体(Schottky diode)系列产品,扩展SiC二极体产品组合。这些二极体的先进碳化矽技术提供更高的开关效能、更低的功率损耗,并轻松实现元件并联
Littelfuse推出经扩展的碳化矽肖特基二极体产品系列 (2018.01.24)
Littelfuse, Inc.推出四个隶属於其第2代产品家族的1200V碳化矽(SiC)肖特基二极体系列产品,该产品家族最初於2017年5月发布。 LSIC2SD120A08系列、LSIC2SD120A15系列和LSIC2SD120A20系列的额定电流分别为8A、15A、20A,并采用主流的TO-220-2L封装
在台三十年 (2017.12.19)
1987年,罗姆半导体(ROHM Semiconductor)选择落脚台湾,然後一待就是30年。

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