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CTIMES / Reram
科技
典故
第一颗晶体管(Transistor)的由来

第二次世界大战末期,贝尔实验室开始一项研究计划,目标是研发出一种体积更小、功能更强大、更快速且可靠的装置来取代真空管。1947年12月23日,由贝尔实验室研发的晶体管取代了真空管,优点是体积更小、更可靠、且成本低廉,不仅孕育了今日遍及全球的电子半导体产业,同时也促成电讯计算机业、医学、太空探测等领域产生戏剧性的改变。
实现物联网与云端运算的新型记忆体技术 (2019.10.04)
研究指出,以 MRAM取代微控制器中的 eFlash 和 SRAM,可节省达 90% 的功耗。这些功耗与面积成本优势,使得MRAM成为边缘装置的理想选择。
松下与联华电子合作开发新一代可变电阻式记忆体量产制程 (2017.02.08)
松下电器半导体(PSCS)已与联华电子(UMC)达成一项协议,双方将合作开发新一代40nm 可变电阻式记忆体(ReRAM)的量产制程。 ReRAM与目前广泛应用的快闪记忆体十分相似,是一种非挥发性记忆体
如何让芯片记忆更多?Rice大学和惠普告诉您 (2010.09.01)
有没有另一种新的半导体技术,能够在更短的时间内缩小芯片尺寸、又能提高储存容量?答案正在呼之欲出。美国德州莱斯大学(Rice Univ.)的科学家们与惠普(HP)的研发团队不约而同地,在这礼拜公布两项关键技术和合作计划,宣布可以克服最基本的物理限制,能够更快速地将内存芯片微型化,他们认为是消费电子芯片的革命性突破

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