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CTIMES / Igbt
科技
典故
叫醒硬件准备工作的BIOS

硬件组装在一起,只是一堆相互无法联系的零件,零件要能相互联络、沟通与协调,才能构成整体的「系统」的基础,而BIOS便扮演这样的角色。
EDA不再是EDA 明导国际进攻功率系统测试领域 (2014.05.15)
尽管近期科技产业的目光都聚焦在穿戴式电子或智能型手机的身上,但其他应用领域也不能等闲视之,许多再生能源或是高功率应用等,也是诸多科技业者所注意的关键领域,即便这些市场的规模不够大,但是相对的进入门坎相对较高,毛利率也远高于智能型手机或是消费性电子产品
建构完整产业链 工研院设亚洲首座功率实验室 (2014.01.22)
我们都知道,绿能或是电机产业都很需要大功率的电力来驱动系统运作,像是风力与太阳能发电或是马达控制等都是相当常见的例子。再加上近年来节能减碳已成为全球势不可免的浪潮,从政府乃至于产业界都投入了不少资源
快捷IGBT荣获 EPC 十大电源产品奖 (2013.09.23)
快捷半导体在《今日电子》杂志主办的第 11界年度十大直流-直流电源产品奖活动中荣获殊荣。 自提交高电压场截止阳极短路沟槽 IGBT至最佳应用奖类评委会后,这已是快捷半导体第七次荣获此著名奖项
用于单端谐振逆变器之FS SA T IGBT (2013.06.04)
高压 IGBT 的性能已得到极大改进。当今最流行的 IGBT 技术为场截止 IGBT(Field Stop IGBT),该技术结合贯穿型(PT)及非贯穿型(NPT)IGBT 结构的优点,同时克服每种结构的缺点
电源管理市场反弹 IGBT成长亮眼 (2012.08.20)
据IHS iSuppli公司调查指出,电源管理市场在下滑了两个季度后,在第二季已开始反弹,拉抬的动力则主要来自于智能手机和媒体平板等消费产品对于能源使用效率的需求提升
IR为感应加热应用推出全新超高速1200 V IGBT (2011.09.28)
国际整流器公司 (IR) 于昨(27)日,发表全新超高速沟道绝缘闸双极晶体管 (IGBTs),从而优化感应加热和共振开关应用,例如焊接与高功率整流。 该公司表示,全新1200 V IGBT组件利用IR的纤薄晶圆沟道技术,提供关键的性能效益,包括用来降低功率耗散和提升功率密度的低VCE (on) 及超高速开关
从电动车到智能车 英飞凌打通车电任督二脉 (2011.04.07)
全球汽车电子和模拟电源芯片大厂英飞凌(Infineon)在出售旗下无线通信事业群之后,已经完成另一波新型态的组织再造作业。展望未来成长可期的汽车电子领域,英飞凌除了继续稳建地累积关键组件的技术优势之外,同时也积极开创多层面的新商机
节能烹调研究项目 省下高达25%电力 (2010.10.13)
德国三大产学机构携手合作,寻找最耗电的家电,将节能理念落实于厨房。电磁炉的烹调方式只加热于锅具,而不会加热炉具本身,因此可节省高达25%的电力。今日,德国只有10%到15%的家庭使用电磁炉烹调,原因之一就在于电磁炉的购置成本较高
优化电源管理设计 IR推在线IGBT选择工具 (2010.08.19)
国际整流器(International Rectifier,IR)今日宣布,推出全新在线绝缘闸双极晶体管(IGBT)选择工具。此工具有效优化多种应用设计,其中包括马达驱动、不断电系统(UPS),太阳能逆变器和焊接
英飞凌发表搭载整合式分流器的MIPAQ base模块 (2009.06.16)
英飞凌科技日前于上海举办的PCIM China展览会暨研讨会上宣布绝缘闸双极性晶体管(IGBT) MIPAQ base模块之量产。 MIPAQ(整合电源、应用及质量的模块)base模块,整合IGBT六单元(six-pack)组态及电流感应分流器,非常适用于高达55 kW之工业驱动装置和伺服机的低感应系统设计
高振幅的任意/函数产生器 (2008.12.08)
本文说明产生高振幅信号的常规方法与外部放大器,然后讨论典型的应用,并介绍整合高振幅阶段使用新型任意/函数产生器的效益。
降低能源损耗 「飞」我莫属 (2008.10.13)
生活中各个角落无不需要使用电力,然而电源的损耗也正在这些电子设备与线路的传递处理中一点一滴流逝。也因此半导体厂商所汲汲营营的,正是不断开发出更新的半导体架构,让电能的使用效率能够达到更高,降低损耗,不仅用户能更节省能源支出,也相对为环境的保护多出一份心力
专访:英飞凌多元市场资深技术总监Leo Lorenz (2008.10.13)
生活中各个角落无不需要使用电力,然而电源的损耗也正在这些电子设备与线路的传递处理中一点一滴流逝。也因此半导体厂商所汲汲营营的,正是不断开发出更新的半导体架构,让电能的使用效率能够达到更高,降低损耗,不仅用户能更节省能源支出,也相对为环境的保护多出一份心力
英飞凌推出三合一MIPAQ系列电源模块 (2008.06.09)
英飞凌科技公司(Infineon Technologies AG)于德国纽伦堡举办的2008年PCIM展览会暨研讨会上,宣布推出全新MIPAQ家族的「绝缘闸双极性晶体管」(Insulated Gate Bipolar Transistor,IGBT)模块,提供高度整合性
高尖峰电流闸极驱动光耦合器 (2008.06.05)
对马达驱动、不断电系统、交换式电源、高强度灯管整流器以及感应加热等电压转换应用,IGBT的闸极必须以稳定的开关切换驱动电压推动,同时需要相对较高的电流等级,以便能够在导通与关断状态间快速切换
快捷IGBT提高感应加热应用效率 (2008.03.26)
快捷半导体(Fairchild Semiconductor)推出全新1200V,Field Stop Trench IGBT系列组件FGA20N120FTD和FGA15N120FTD,为电磁感应加热应用的系统设计人员提供了高效的解决方案。这些IGBT同时采用Field Stop(场终止层)结构和抗雪崩的Trench gate(沟道闸)技术,可在开关导通损耗和切换损耗之间提供最佳权衡,进而获得最高的效率
Avago推出低耗电8mm爬电距离闸极驱动光耦合器 (2008.03.19)
安华高科技(Avago)宣布推出一款新闸极驱动光耦合器产品,具备2.5A最高尖峰输出电流,Avago的新ACPL-K312满足了低耗电需求,并带来高抗噪声能力,快速的IGBT开关切换可以改善效率,让这些新闸极驱动光耦合器相当适合IGBT/MOSFET闸极驱动、交流与无刷直流马达驱动、工业变频器以及交换式电源等应用
Vishay推出新系列半桥绝缘栅双极型晶体管 (2008.03.17)
Vishay宣布推出采用业界标准Int-A-Pak封装的新系列半桥绝缘栅双极型晶体管(IGBT)。该系列由八个600V及1200V器件组成,这些器件采用多种技术,可在标准及超快速度下实现高开关工作频率
浅谈IGBT模组并联优势 (2008.03.17)
并联切换IGBT模组的参数变化,会导致各模组电流不平衡,造成模组间的温度差异。若并联IGBT模组使用蒙地卡罗模拟法,可以凭借随机模组参数与系统在设置时的失衡数据,计算出失衡电流、切换损耗与接面温度

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