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CTIMES / 電晶體
科技
典故
管理美国网络广告的组织 - IAB

IAB是Internet Activities Board的简称,意即美国网络广告组织,是一个专门管理与观察美国网络广告活动的一个机构。
再见摩尔定律? (2019.10.07)
许多半导体大厂正积极研发新架构,都是为了找出一个全新的产业方向。龙头大厂开始重视晶片的创新,并持续以全新架构来取代旧有的晶片。
EDA跨入云端环境新时代 (2019.09.11)
全球主要EDA供应业者,已经开始将一部分的IC设计工具,透过提供云端设计或验证的功能。并且未来可能针对各种不同领域或产业、制品技术等,都能够透过云端来完成所需要的
解决7奈米以上CMOS的接触电阻挑战 (2019.06.11)
随着新型??矽化技术的发展,来自爱美科(imec)的博士生Hao Yu,介绍了改进源/汲极接触方案,这将能解决先进CMOS技术接触电阻带来的挑战。
贸泽供应Qorvo QPD1025L碳化矽基氮化??电晶体 适合航空电子应用 (2018.05.31)
贸泽电子即日起开始供应Qorvo的QPD1025L碳化矽基氮化?? (GaN-on-SiC) 电晶体。 QPD1025在65V的运作功率达1.8 kW,为业界功率最高的碳化矽基氮化?? (GaN-on-SiC) 射频电晶体,拥有高讯号完整度和延伸的涵盖范围,适合L波段航空电子和敌我识别 (IFF) 应用
先进材料是电动车快速崛起之关键 (2018.04.10)
汽车制造商将面临巨大的压力,需要竭尽全力实现更高的燃油经济性。从长远来看,将需要采纳电动车(EV)和混合动力车(HEV)以便能够实现这些目标。
FDX技术良性??圈的开端 (2018.03.20)
格芯的22奈米和12奈米 FDX制程适合於低功率、移动和高度结合而成的SoC应用,对於很多客户来说,这是最隹市场。
D3 Semiconductor与贸泽电子签署全球分销协定 (2017.06.20)
D3 Semiconductor与贸泽电子签署全球分销协定 D3 Semiconductor宣布贸泽电子 (Mouser Electronics) 现已成为其全球分销合作伙伴。根据协定,贸泽电子目前储备D3 Semiconductor 的完整650 伏额定电压超结金属氧化物半导体场效应电晶体(MOSFET) +FET产品线
EPC eGaN技术在性能及成本上实现质的飞跃 (2017.03.17)
全球增?型氮化镓电晶体厂商、致力于开发创新的矽基功率场效应电晶体(eGaN FET)及积体电路的宜普电源转换公司(EPC)推出全新的EPC2045(7微欧姆、100 V)及EPC2047(10 微欧姆、200 V)电晶体,在提升产品性能的同时也可以降低成本
石墨烯价跌扩大应用面 3D列印线材受人注目 (2016.11.03)
石墨烯被视为新世代超级材料,不管是薄膜或粉末在近几年都有突破性之发展。工研院产业学院罗达贤执行长表示,尤其因为石墨烯的价格逐渐下探,商品化已开始从电晶体、透明导电膜、储能技术、化学感测器、功能复合材料等方面拓展到机械、电机、电子、光电、材料、生医及能源等各领域的应用
恩智浦举办未来科技峰会 推出「半导体加热魔术方块」 (2016.09.30)
今年恰逢恩智浦半导体成立十周年,在此之际,恩智浦亦于日前在深圳举办「2016恩智浦FTF未来科技峰会」向合作伙伴、各领域与会嘉宾展示半导体产业安全互联领域最新的技术成果与解决方案
Silicon Labs推出基于CMOS隔离技术的客制化固态继电器解决方案 (2016.09.26)
Silicon Labs (芯科科技) 近日推出基于CMOS技术的突破性隔离型场效电晶体(FET)驱动器系列产品,使开发人员能够自行选择特定应用和高容量之FET来替代过时的机电继电器(EMR)和基于光耦合器的固态继电器(SSR)
[专栏]GaN、SiC功率元件带来更轻巧的世界 (2016.08.10)
众人皆知,由于半导体制程的不断精进,数位逻辑晶片的电晶体密度不断增高,运算力不断增强,使运算的取得愈来愈便宜,也愈来愈轻便,运算力便宜的代表是微电脑、个人电脑,而轻便的成功代表则是笔电、智慧型手机、平板
[专栏]摩尔定律失效了? (2016.04.06)
有关企业的经营管理理论有多个来源,一是学术研究,二是企业管理顾问,三是实务经验观察。学术研究如哈佛商学院教授Christensen M. Clayton提出破坏式创新(disruptive innovation);企业管理顾问如波士顿顾问集团(BCS)提出多角化经营矩阵
意法半导体推出1500V超接面功率MOSFET让电源应用环保又安全 (2015.11.09)
意法半导体(STMicroelectronics,ST)的新系列功率MOSFET让电源设计人员实现产品效能最大化,同时提升工作稳健性及安全系数。 MDmeshTM K5产品是拥有超接面技术优势及1500V漏极-源极(drain-to-source)崩溃电压(breakdown voltage)的电晶体,并已获亚洲及欧美主要客户导入于其重要设计中
英飞凌推出行动基地台发射器专用的氮化镓装置 (2015.10.02)
【德国慕尼黑讯】英飞凌科技(Infineon)推出碳化矽(SiC)射频功率电晶体的氮化镓(GaN)系列产品。凭借英飞凌的氮化镓技术,该款新产品可协助行动基地台的制造商打造体积更小、功能更强大,且具弹性的发射器
Mentor Graphics获得TSMC 10nm FinFET 制程技术认证 (2015.09.21)
Mentor Graphics(明导)公司宣布,Calibre nmPlatform已通过TSMC 10nm FinFET V0.9制程认证。此外,Mentor Analog FastSPICE电路验证平台已完成了电路级和元件级认证,Olympus-SoC数位设计平台正在进行提升,以帮助设计工程师利用TSMC 10nm FinFET技术更有效地验证和优化其设计
瑞萨电子开发28奈米嵌入式闪存技术 (2015.05.15)
瑞萨电子(Renesas)宣布已开发全新闪存技术,可达到更快的读取与覆写速度。 这项新的技术是针对采用28奈米(nm)嵌入式闪存(eFlash)制程技术的芯片内建闪存微控制器(MCU)所设计
Diodes高压稳压器晶体管为微控制器提供5V电源 (2015.03.27)
Diodes公司推出新稳压器ZXTR2105F,该产品整合晶体管、齐纳二极管及电阻器单片式,有效在高达60V的输入情况下提供5V 15mA的输出。这款稳压器晶体管采用了小巧的SOT-23封装,可减少组件数量,以及节省微控制器应用的印刷电路板面积,例如个人计算机和服务器的直流散热风扇,以及工业与汽车市场的马达驱动器、排气扇和传感器应用
英飞凌与Panasonic为常关型600V氮化镓功率半导体建立双供应源 (2015.03.17)
英飞凌科技(Infineon)与 Panasonic公司宣布双方将共同开发以 Panasonic 常关型(强化模式)硅基板氮化镓晶体管结构为基础的氮化镓 (GaN) 产品,并整合至英飞凌的表面黏着装置(SMD)封装
Diodes微型场效晶体管节省40%空间 (2015.02.13)
Diodes公司为提供空间要求严格的产品设计,扩充了旗下超小型分立组件产品系列。新推出的3款小讯号MOSFET包括20V和30V额定值的N信道晶体管,以及30V额定值的P信道组件,产品全都采用DFN0606微型封装

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