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安森美半導體推出先進汽車照明的LED驅動器和控制器 (2020.02.05)
推動高能效創新的安森美半導體(ON Semiconductor)推出由四個裝置組成的新系列,促進汽車廠商和消費者現在所期望的汽車外部和內部照明的高水平性能和創新功能。新系列專門針對低功率固態照明,包括兩個LED驅動器(NCV7683和NCV7685)和兩個電流控制器(NCV7691和NCV7692)
Diodes的雙極電晶體採用3.3mm x 3.3mm封裝並提供更高的功率密度 (2019.03.12)
Diodes公司推出NPN與PNP功率雙極電晶體,採用小尺寸封裝(3.3mm x 3.3mm),可為需要高達100V與3A的應用提供更高的功率密度。新款NPN與PNP電晶體的尺寸較小,可在閘極驅動功率MOSFET與IGBT、線性DC-DC降壓穩壓器、PNP LDO及負載開關電路,提供更高的功率密度設計
Diodes全新微型電晶體佔位面積縮減40% (2015.01.30)
Diodes公司推出採用DFN0606封裝的NPN電晶體MMBT3904FZ和BC847BFZ,以及PNP電晶體MMBT3906FZ和BC857BFZ。新產品的電路板面積僅0.36mm2,比採用DFN1006 (SOT883) 封裝的同類型元件小40%,並能提供相等甚至更佳的電氣效能
IR擴充堅固可靠600V節能溝道IGBT系列 (2014.05.19)
國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 擴充節能600V絕緣閘雙極電晶體 (IGBT) 系列,並提供多種封裝選擇。全新堅固可靠的IRxx46xx 元件系列為從小型馬達及低負載產品以至工業應用的完整功率應用範圍作出優化,包括不斷電供應系統 (UPS)、太陽能、感應加熱、工業用馬達和焊接應用
[評析]沒有退路的FPGA與晶圓代工業者 (2014.01.02)
Xilinx(賽靈思)與Altera在先進製程之間的激戰,在Xilinx宣佈新一代架構Ultrascale的FPGA產品以台積電的20奈米導入量產後,其戰況開始產生了微妙的變化。很明顯的,扣除ARM兩邊陣營都討好外
[白皮書]如何為您的設計選擇最佳音訊放大器 (2013.07.08)
音訊市場的需求一直在變化,相對地,市場上也有很多種不同類型的音訊放大器結構可供選擇。為了替您的設計選擇最適合的音訊放大器IC,了解每一種音訊放大器的特點和它們之間的關聯性至關重要
採用三閘極3D技術的新一代FPGA (2013.07.07)
2013年2月,Altera和英特爾(Intel)共同宣佈新一代Altera的高性能FPGA產品將獨家採用英特爾的14奈米3D三閘極電晶體技術。這代表著FPGA也已跨入3D電晶體世代了。 全球領先的半導體公司都不斷地針對3D電晶體結構進行最佳化和可製造性研究
Silicon Labs數位隔離解決方案提升馬達控制的長期可靠性 (2013.05.09)
高效能類比與混合訊號IC領導廠商Silicon Labs今日宣佈推出業界首款基於CMOS技術的數位解決方案,可直接替換光耦合隔離式閘極驅動器(簡稱光耦合驅動器)。新型Si826x隔離式閘極驅動器支援高達5kV隔離等級和10kV電湧保護
IR推出更強線上IGBT產品選擇及效能評估工具 (2013.03.13)
功率半導體廠商國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 提升絕緣閘雙極電晶體 (IGBT) 選擇工具的效能,藉以優化馬達驅動器、不斷電供應系統 (UPS)、太陽能逆變器及焊接等多種應用的設計
IR擴充600V溝道超高速IGBT陣容 (2013.02.21)
國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 擴充600V絕緣閘雙極電晶體 (IGBT) 陣容,推出堅固可靠的IRGP4640D、IRGP4650D及IRGP4660D,藉以優化不斷電供應系統 (UPS)、太陽能、感應加熱、工業用馬達和焊接應用
Intel 22奈米Soc行動晶片 明年蓄勢待發 (2012.12.12)
面對行動裝置設備這塊大餅,Intel最近可說是動作頻頻,不僅對外宣布採用的新一代Tri-Gate 3D立體電晶體技術架構的22奈米製程技術,已經能夠生產智慧手機與平板電腦所使用的SoC,並預計將於2013年年中運用此製程技術開始量產Atom處理器
快捷半導體SiC BJT上場 鎖定5kW應用市場 (2012.11.21)
快捷半導體日前才完成收購碳化矽(SiC)功率電晶體企業TranSiC,掌握了最關鍵的SiC材料與製程技術,並且能夠在超廣溫度範圍下有亮眼出色的性能,以及高於金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)和接面場效電晶體(JFET)技術的雙極SiC電晶體技術
快捷半導體SiC BJT上場 鎖定5kW應用市場 (2012.11.21)
快捷半導體日前才完成收購碳化矽(SiC)功率電晶體企業TranSiC,掌握了最關鍵的SiC材料與製程技術,並且能夠在超廣溫度範圍下有亮眼出色的性能,以及高於金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)和接面場效電晶體(JFET)技術的雙極SiC電晶體技術
IR Gen8 1200V IGBT技術平台提升效率及耐用性 (2012.11.21)
國際整流器公司(IR)日前推出新一代絕緣閘雙極電晶體 (IGBT) 技術平台。全新第八代 (Gen8) 1200V IGBT技術平台利用IR新一代溝道閘極場截止技術。 Gen8設計讓Vce(on) 能夠減少功耗,增加功率密度,以及提供耐用性
IR為家電馬達驅動器擴充IGBT陣營 (2012.10.24)
國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 推出IRGR4045DPbF及IRGS4045DPbF,藉以擴充絕緣閘雙極電晶體 (IGBT) 陣營。全新600V溝槽型超高速IGBT能夠為洗衣機和冰箱等家電與輕工業馬達驅動應用提升效能及效率
<COMPUTEX>形塑未來 Intel打造最佳使用者經驗 (2012.06.05)
2012台北國際電腦展(Computex Taipei)今(5)日終於正式登場,今年重點除了在Window 8之外,Intel的所帶來的Ultrabook也是重點之一。在今日舉辦的主題論壇中,英特爾資深副總裁Thomas M. Kilroy除了帶來第3代處理器Ivy Bridge外,也展示了五十多款不同的Ultrabook
ZETEX AN40 --- 鋰離子電池充電使用雙極晶體管-ZETEX AN40 --- 鋰離子電池充電使用雙極晶體管 (2012.05.03)
ZETEX AN40 --- 鋰離子電池充電使用雙極晶體管
5年1500萬美元 工研院與Intel共推3D記憶體 (2011.12.06)
Intel今日(12/6)與工研院、經濟部技術處共同宣佈一項針對下世代記憶體技術的合作案,未來五年總投入金額共達一千五百萬美元。這是Intel在Ultrabook以及行動裝置的佈局,工研院將提供 IC 架構及軟體技術,目標是在五年內,將記憶體功耗節省至10倍、甚至百倍以上
IR宣佈擴充其600 V溝道絕緣柵雙極電晶體陣營 (2011.11.18)
國際整流器公司(IR)日前宣佈擴充其600 V溝道絕緣柵雙極電晶體(IGBT)陣營,為不斷電系統(UPS)、太陽能、工業用馬達及焊接應用推出IRGPS4067DPbF和IRGP4066DPbF元件。 IRGPS4067DPbF和IRGP4066DPbF元件利用溝道纖薄晶圓技術,減低導通及開關損耗
雲端如何不秏電:高環溫資料中心是趨勢 (2011.11.01)
雲端運算當紅、可攜式裝置造成行動資料爆炸成長,讓全球資料中心所消耗的電量約為全球的1.5%,用電成本高達260億美元。半導體大廠Intel針對資料中心提出一套從電晶體閘極到輸配電網路的提升效率解決方案,其中包括了高環溫的資料中心規格制定


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6 ROHM發表第4代低導通電阻SiC MOSFET
7 Dialog推出首款馬達驅動應用的高電壓混合訊號IC 工作電壓高達13.2V
8 ST推出新款抗輻射強化元件 提升航太應用效能
9 ROHM推出超高速列印熱感寫印字頭 提升產線和物流現場生產力
10 HOLTEK推出TinyPowerTM 40V/150mA超低靜態電流HT75Hxx LDO系列

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