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默克:3D晶片是摩爾定律物理極限的最佳解答 (2017.09.08)
隨著半導體先進製程持續往5奈米、3奈米逼近的同時,摩爾定律也正逐漸走向物理極限。製程的微縮不只越來越困難,耗用的時間也越來越長,成本也越走越高。這使得半導體也必須從材料端與封裝端來打破製程技術的限制,並達到技術上的突破
Telefonica與Brocade合作建立NFV部署與效能標竿測試 (2014.08.21)
 Telefonica與Brocade雙方已合作針對網路功能虛擬化方案(Network Functions Virtualization; NFV)的部署與效能建立新的標竿測試(benchmark)。經測試取得的一致結果,證明了NFV可改變服務供應商對於虛擬化軟體網路的效能期望
低電壓射頻接收器前端電路於CMOS製程之挑戰與實現 (2008.10.07)
近年來,基於成本及整合的考量,使用CMOS製程來實現RF IC已漸趨主流。然而,CMOS本身的轉導較GaAs或BJT來得低,所以設計上的挑戰相對較大,特別是當低電壓使用時。本文以CMOS元件作出發點
選擇最適合應用的USB(2) (2007.07.24)
本文將介紹許多USB的常見應用,並且討論各種USB版本的優缺點,以便找出最適合特定應用的USB。文章接著分析其中部份應用的未來發展,並且認為到2009年以後,市場將需要資料產出更高的USB連線
SiGe PNP HBT基極摻雜工程技術 (2007.01.05)
SiGe:C npn電晶體異質接面雙極性晶體管(HBT)是 BiCMOS IC 中針對高速類比和混合訊號應用的核心技術。而高速互補技術要求pnp與npn HBT具有相似的性能。由於n 型 SiGe 基極摻雜工程技術目前仍是一項挑戰,針對此挑戰本文提出了使用標準和原子層摻雜(ALD)技術的摻雜工程技術概論
與電子工程相關之尖端科技 (2004.05.10)
先進的科技一直是驅動全球經濟發展的主要動力。雖然,大家都比較關注目前現有的技術所能產生的新應用和新價值,但是,目前正在實驗室裡研發的新科技,未來即可能改變整個電子產業的面貌
與電子工程相關之尖端科技 (2004.05.05)
目前正在實驗室裡研發的新科技,未來即可能改變整個電子產業的面貌。
P4(Northwood) 的電源管理 (2001.08.05)
(圖一) 隨著科技的日新月異,CPU在速度上不斷發展,其電源規範也由VRM8.4(電壓穩壓模組8.4版/Voltage Regulator Module 8.4版)、VRM8.5、VRM9.0、演進到最新的VRM9.2。其功率消耗及電壓的變化,大致上還是遵循莫爾定律(Moor's Law)
光纖通訊元件進展與台灣廠商發展機會 (2001.01.01)
針對國內今年的產業動態與與明年度的觀察重點,很明顯的,國內光纖通廠商的最大商機來自於固網,但隨著固網提供服務的日期接近,實體電信網路建設也逐漸告一段落,商機效應應該已經顯現
英特爾發表3伏特Intel StrataFlash 快閃記憶體 (1999.08.09)
英特爾公司發表3伏特Intel StrataFlash快閃記憶體,該產品採用先進的0.25微米製程與多階微細胞技術,故能在單一高密度的128Mb晶片上兼具程式碼執行與資料儲存能力。此支援Page Mode功能之NOR Flash快閃記憶元件不僅提供最大的儲存容量


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