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安森美半导体推出先进汽车照明的LED驱动器和控制器 (2020.02.05)
推动高能效创新的安森美半导体(ON Semiconductor)推出由四个装置组成的新系列,促进汽车厂商和消费者现在所期??的汽车外部和内部照明的高水平性能和创新功能。新系列专门针对低功率固态照明,包括两个LED驱动器(NCV7683和NCV7685)和两个电流控制器(NCV7691和NCV7692)
Diodes的双极电晶体采用3.3mm x 3.3mm封装并提供更高的功率密度 (2019.03.12)
Diodes公司推出NPN与PNP功率双极电晶体,采用小尺寸封装(3.3mm x 3.3mm),可为需要高达100V与3A的应用提供更高的功率密度。新款NPN与PNP电晶体的尺寸较小,可在闸极驱动功率MOSFET与IGBT、线性DC-DC降压稳压器、PNP LDO及负载开关电路,提供更高的功率密度设计
Diodes全新微型晶体管占位面积缩减40% (2015.01.30)
Diodes公司推出采用DFN0606封装的NPN晶体管MMBT3904FZ和BC847BFZ,以及PNP晶体管MMBT3906FZ和BC857BFZ。新产品的电路板面积仅0.36mm2,比采用DFN1006 (SOT883) 封装的同类型组件小40%,并能提供相等甚至更佳的电气效能
IR扩充坚固可靠600V节能沟道IGBT系列 (2014.05.19)
国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 扩充节能600V绝缘闸双极晶体管 (IGBT) 系列,并提供多种封装选择。全新坚固可靠的IRxx46xx 组件系列为从小型马达及低负载产品以至工业应用的完整功率应用范围作出优化,包括不间断电源 (UPS)、太阳能、感应加热、工业用马达和焊接应用
[评析]没有退路的FPGA与晶圆代工业者 (2014.01.02)
Xilinx(赛灵思)与Altera在先进制程之间的激战,在Xilinx宣布新一代架构Ultrascale的FPGA产品以台积电的20奈米导入量产后,其战况开始产生了微妙的变化。很明显的,扣除ARM两边阵营都讨好外
[白皮书]如何为您的设计选择最佳音频放大器 (2013.07.08)
音频市场的需求一直在变化,相对地,市场上也有很多种不同类型的音频放大器结构可供选择。为了替您的设计选择最适合的音频放大器IC,了解每一种音频放大器的特点和它们之间的关联性至关重要
采用三闸极3D技术的新一代FPGA (2013.07.07)
2013年2月,Altera和英特尔(Intel)共同宣布新一代Altera的高性能FPGA产品将独家采用英特尔的14奈米3D三闸极晶体管技术。这代表着FPGA也已跨入3D晶体管世代了。 全球领先的半导体公司都不断地针对3D晶体管结构进行优化和可制造性研究
Silicon Labs数字隔离解决方案提升马达控制的长期可靠性 (2013.05.09)
高效能模拟与混合讯号IC领导厂商Silicon Labs今日宣布推出业界首款基于CMOS技术的数字解决方案,可直接替换光耦合隔离式闸极驱动器(简称光耦合驱动器)。新型Si826x隔离式闸极驱动器支持高达5kV隔离等级和10kV电涌保护
IR推出更强在线IGBT产品选择及效能评估工具 (2013.03.13)
功率半导体厂商国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 提升绝缘闸双极晶体管 (IGBT) 选择工具的效能,藉以优化马达驱动器、不间断电源 (UPS)、太阳能逆变器及焊接等多种应用的设计
IR扩充600V沟道超高速IGBT阵容 (2013.02.21)
国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 扩充600V绝缘闸双极晶体管 (IGBT) 阵容,推出坚固可靠的IRGP4640D、IRGP4650D及IRGP4660D,藉以优化不间断电源 (UPS)、太阳能、感应加热、工业用马达和焊接应用
快捷半导体SiC BJT上场 锁定5kW应用市场 (2012.11.21)
快捷半导体日前才完成收购碳化硅(SiC)功率晶体管企业TranSiC,掌握了最关键的SiC材料与制程技术,并且能够在超广温度范围下有亮眼出色的性能,以及高于金属氧化物半导体场效晶体管(MOSFET)和接面场效晶体管(JFET)技术的双极SiC晶体管技术
快捷半导体SiC BJT上场 锁定5kW应用市场 (2012.11.21)
快捷半导体日前才完成收购碳化硅(SiC)功率晶体管企业TranSiC,掌握了最关键的SiC材料与制程技术,并且能够在超广温度范围下有亮眼出色的性能,以及高于金属氧化物半导体场效晶体管(MOSFET)和接面场效晶体管(JFET)技术的双极SiC晶体管技术
IR Gen8 1200V IGBT技术平台提升效率及耐用性 (2012.11.21)
国际整流器公司(IR)日前推出新一代绝缘闸双极晶体管 (IGBT) 技术平台。全新第八代 (Gen8) 1200V IGBT技术平台利用IR新一代沟道闸极场截止技术。 Gen8设计让Vce(on) 能够减少功耗,增加功率密度,以及提供耐用性
IR为家电马达驱动器扩充IGBT阵营 (2012.10.24)
国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 推出IRGR4045DPbF及IRGS4045DPbF,藉以扩充绝缘闸双极晶体管 (IGBT) 阵营。全新600V沟槽型超高速IGBT能够为洗衣机和冰箱等家电与轻工业马达驱动应用提升效能及效率
<COMPUTEX>形塑未来 Intel打造最佳用户经验 (2012.06.05)
2012台北国际计算机展(Computex Taipei)今(5)日终于正式登场,今年重点除了在Window 8之外,Intel的所带来的Ultrabook也是重点之一。在今日举办的主题论坛中,英特尔资深副总裁Thomas M. Kilroy除了带来第3代处理器Ivy Bridge外,也展示了五十多款不同的Ultrabook
ZETEX AN40 --- 锂离子电池充电使用双极晶体管-ZETEX AN40 --- 锂离子电池充电使用双极晶体管 (2012.05.03)
ZETEX AN40 --- 锂离子电池充电使用双极晶体管
5年1500万美元 工研院与Intel共推3D内存 (2011.12.06)
Intel今日(12/6)与工研院、经济部技术处共同宣布一项针对下世代内存技术的合作案,未来五年总投入金额共达一千五百万美元。这是Intel在Ultrabook以及行动装置的布局,工研院将提供 IC 架构及软件技术,目标是在五年内,将内存功耗节省至10倍、甚至百倍以上
IR宣布扩充其600 V沟道绝缘栅双极晶体管阵营 (2011.11.18)
国际整流器公司(IR)日前宣布扩充其600 V沟道绝缘栅双极晶体管(IGBT)阵营,为不断电系统(UPS)、太阳能、工业用马达及焊接应用推出IRGPS4067DPbF和IRGP4066DPbF组件。 IRGPS4067DPbF和IRGP4066DPbF组件利用沟道纤薄晶圆技术,减低导通及开关损耗
云端如何不秏电:高环温数据中心是趋势 (2011.11.01)
云端运算当红、便携设备造成行动数据爆炸成长,让全球数据中心所消耗的电量约为全球的1.5%,用电成本高达260亿美元。半导体大厂Intel针对数据中心提出一套从晶体管闸极到输配电网络的提升效率解决方案,其中包括了高环温的数据中心规格制定
IR为感应加热应用推出全新超高速1200 V IGBT (2011.09.28)
国际整流器公司 (IR) 于昨(27)日,发表全新超高速沟道绝缘闸双极晶体管 (IGBTs),从而优化感应加热和共振开关应用,例如焊接与高功率整流。 该公司表示,全新1200 V IGBT组件利用IR的纤薄晶圆沟道技术,提供关键的性能效益,包括用来降低功率耗散和提升功率密度的低VCE (on) 及超高速开关


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5 Vicor发布新款ZVS 降压稳压器 PI3323/PI3325
6 明纬推出480W无风扇导轨式DC/DC转换器 峰值负载达150%
7 英飞凌推出硫化氢防护功能产品 助力延长IGBT模组寿命
8 ROHM推出第4代低导通电阻SiC MOSFET 加速车载动力逆变器的普及
9 意法半导体推出新数位电源控制器 为600W-6kW应用带来新的选择
10 ROHM推出超高速列印热感写印字头 提升产线和物流现场生产力

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