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英飛凌新款IGBT模組以62 mm封裝提供更高的功率密度
 

【CTIMES 陳復霞整理報導】   2017年03月22日 星期三

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【德國慕尼黑訊】英飛凌科技(Infineon)擴展旗下62 mm IGBT模組陣容。全新電源模組能在尺寸不變下,滿足對更高功率密度日益增加的需求。業經驗證的62 mm封裝中採用較大的晶片區域及調整過的DCB基板,以實現更高的功率密度。1200 V阻斷電壓模組應用於馬達驅動、太陽能變頻器與不斷電系統(UPS),1700 V阻斷電壓模組則應用於中壓變頻器。

全新 62 mm 功率模組在封裝中採用較大的晶片區域及調整過的DCB基板,以實現更高的功率密度。
全新 62 mm 功率模組在封裝中採用較大的晶片區域及調整過的DCB基板,以實現更高的功率密度。

62 mm模組具備1200 V阻斷電壓,最大額定電流可達600 A,1700 V阻斷電壓的最大額定電流則是500 A。此封裝符合業界標準尺寸,因此能輕易整合至現有的設計中,例如:應用於馬達驅動時,輸出功率增加 20%。這項產品採用經驗證的高耐用性及可靠性的IGBT4 技術。

全新功率模組二種版本皆擁有「共射極」組態,可組成三階拓樸(NPC2)。這讓模組得以在高功率之太陽能及UPS應用中增進效率。

全新62 mm功率模組已開始量產,亦可選擇在出廠前預塗覆散熱介面材料(TIM)。英飛凌亦推出採用焊料接合技術的新閘流體/二極體模組,適用於輸入整流器,分別為 34 mm 和 50 mm 封裝規格,能夠搭配全新的62 mm模組。

關鍵字: IGBT  功率模組  DCB基板  馬達驅動  Infineon(英飛凌系統單晶片 
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