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英飛凌推出 950 V CoolMOS P7 超接面 MOSFET 適用於 PFC 與返馳拓撲
 

【CTIMES/SmartAuto 編輯部報導】   2018年09月07日 星期五

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英飛凌科技股份有限公司CoolMOS P7 系列推出 950 V CoolMOS P7 超接面 MOSFET 新產品,符合最為嚴格的設計要求:適用於照明、智慧電錶、行動充電器、筆電電源供應器、輔助電源供應器,以及工業 SMPS 應用。此全新半導體解決方案提供優異的散熱與效率表現,可降低物料清單及整體生產成本。

英飛凌 950 V CoolMOSTM P7 超接面 MOSFET
英飛凌 950 V CoolMOSTM P7 超接面 MOSFET

950 V CoolMOS P7 提供極佳的 DPAK RDS(on),有助於更高密度的設計。此外,優異的 VGS(th) 與最低點 VGS(th)容許值,讓 MOSFET的驅動與設計更為容易。類似於英飛凌領先業界的 P7 系列的其他產品,此裝置也整合了贊納二極體 ESD 防護。如此可帶來更好的組裝良率,因此降低成本,並減少ESD 相關生產問題的產生。

950 V CoolMOS P7 可提升多達 1% 的效率, MOSFET 溫度降低 2 至 10 C,有助於更高效率的設計。相較於前代 CoolMOS 產品,此款元件的切換損耗降低達 58%,與市場上同類技術相較,改善率超過50%。

新款950 V CoolMOS P7 推出 TO-220 FullPAK、TO-251 IPAK LL、TO-252 DPAK 及 SOT-223 封裝,因此可以從 THD 轉換為 SMD 裝置。

關鍵字: MOSFET  Infineon(英飛凌
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