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科林研發推出先進邏輯元件用的介電質原子層蝕刻功能
 

【CTIMES 編輯部報導】   2016年09月07日 星期三

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先進半導體設備製造商科林研發公司(Lam Research Corp.)宣佈,已在其Flex介電質蝕刻系統中增加了原子層蝕刻(ALE)功能,以擴展ALE技術的產品組合。運用科林研發的先進混合模式脈衝 (AMMP)技術,新的ALE製程展現出原子級的控制能力,可克服邏輯元件微縮至10奈米以下時面對的重要挑戰。這是首度將電漿輔助ALE製程運用在介電質薄膜上並導入量產,這套最新的Flex系統已獲得廣泛的採用,以作為大量製造邏輯元件之用。

最新的Flex系統可提供量產用介電質ALE製程。
最新的Flex系統可提供量產用介電質ALE製程。

科林研發蝕刻產品部門副總裁Vahid Vahedi表示:「從電晶體和接點建立到連線圖樣(interconnect patterning),邏輯製造商需要全新等級的精密度才能持續微縮到10奈米以下的製程節點。對自動對準接點(self-aligned contact)等這類元件促成關鍵技術應用來說,蝕刻有助於建立關鍵結構,但是傳統的技術無法提供符合現在嚴格規範所需的足夠控制能力。我們最新的Flex產品具備介電質ALE功能,其原子級控制能力是經過生產力驗證的,可以滿足客戶的重要要求。」

為了持續邏輯元件的微縮,晶片製造商正採用像是自動對準接點(SAC)等新的整合方法,來解決RC延遲等問題。因此,接點蝕刻已成為最關鍵的製程之一,會直接影響晶圓良率與電晶體效能。為了能以高解析度製作關鍵的元件結構,蝕刻製程需要具備超高選擇性的方向性(非等向性)功能,同時還要能提供製造所需的生產力。

針對下一代的邏輯與晶圓製造應用,科林研發的Flex介電質蝕刻系統可提供先進的電容式耦合電漿 (CCP)反應器,它獨特的小容量設計可提供穩定可靠的生產結果。此最新系統採用屬獨家的AMMP技術,以藉此實現二氧化矽(SiO 2 )等介電質薄膜的ALE製程。與先前的介電質蝕刻技術相比,此功能可提升2倍的選擇性,而且還能提供原子級的控制能力。

關鍵字: 邏輯元件  介電質原子層蝕刻  ALE  介電質薄膜  科林  Lam  系統單晶片 
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