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EPC eGaN技術在性能及成本上實現質的飛躍
 

【CTIMES 陳復霞整理報導】   2017年03月17日 星期五

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全球增?型氮化鎵電晶體廠商、致力於開發創新的矽基功率場效應電晶體(eGaN FET)及積體電路的宜普電源轉換公司(EPC)推出全新的EPC2045(7微歐姆、100 V)及EPC2047(10 微歐姆、200 V)電晶體,在提升產品性能的同時也可以降低成本。100V的EPC2045應用於開放式服務器架構以實現48 V至負載的單級電源轉換、負載點(POL)轉換器、USB-C及 雷射雷達(LiDAR)等應用。200 V的EPC2047的應用例子包括無?充電、多級AC/DC電源供電、機械人應用及太陽能微型逆變器。

EPC2045及EPC2047氮化鎵場效應電晶體相較於比前一代的產品,這些電晶體的尺寸減半,而且性能顯著提升。
EPC2045及EPC2047氮化鎵場效應電晶體相較於比前一代的產品,這些電晶體的尺寸減半,而且性能顯著提升。

EPC2045在性能/成本上繼續擴大與等效矽基功率MOSFET的績效差距。與前一代EPC2001C eGaN FET相比,EPC2045的晶片尺寸減半。而EPC2047 eGaN FET的尺寸也是減半,如果與等效矽基MOSFET相比,它的尺寸減小達15倍。

設計師現在可以同時實現更小型化和性能更高的元件! eGaN產品採用晶片級封裝,比MOSFET使用塑膠封裝可以更有效地散熱,這是由於使用晶片級封裝的元件可以直接把熱量傳遞至環境,而MOSFET晶片的熱量則聚集在塑膠封裝內。

EPC公司首席執行官兼共同創辦人Alex Lidow稱:「我們非常高興利用創新的氮化鎵技術,開發出這些正在改變半導體行業發展的氮化鎵場效應電晶體(eGaN FET)。」Alex繼續說道:「面向目前採用MOSFET技術的各種應用,這些全新eGaN產品展示出EPC及其氮化鎵電晶體技術如何提升產品的性能之同時能?降價。此外,我們將繼續發展氮化鎵技術以推動全新矽基元件所不能?支援的終端用戶應用的出現。這些全新電晶體也印證了氮化鎵與MOSFET技術在性能及成本方面的績效差距正在逐漸擴大。」

此外,我們也為工程師提供3塊開發板以幫助工程師容易對EPC2045及EPC2047的性能進行評估,包括內含100 V的EPC2045電晶體的開發板((EPC9078及EPC9080)和內含200 V的EPC2047的開發板(EPC9081)。

eGaN產品發展進入良性循環的軌度

氮化鎵製程的優勢是氮化鎵元件比等效矽基元件具備低很多的電容,因此可以在更高頻、相同的阻抗及額定電壓下,實現更低的閘極驅動損耗及更低的開關損耗。與最好的等效MOSFET相比,EPC2045工作在48 V–5 V電源轉換、500 kHz開關頻率時,功耗降低30%及效率提升2.5%。

與矽基MOSFET相反的是,eGaN FET雖然小型很多,但它的開關性能更高,代表eGaN產品的前景是該技術進入「良性循環」的軌度,預期氮化鎵元件將會繼續小型化而其性能可以更高。

全新產品在性能、尺寸及成本上的改進是由於利用了創新的方法,當擊穿時在汲極區域減弱電場,並且同時大幅減少陷阱,使之所俘獲的電子減少。

EPC2045(100 V、7微歐姆)電晶體,EPC2047(200 V、10 m?)各電晶體及開發板已供貨。

關鍵字: 氮化鎵場效應  電晶體  宜普電源  電晶體 
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