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宜普電源推出高頻單片式氮化鎵半橋功率電晶體
 

【CTIMES/SmartAuto 陳復霞整理報導】   2017年06月12日 星期一

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EPC2111氮化鎵半橋功率電晶體?明系統設計師實現具高效率的負載點系統應用,在14 A、12 V轉至1.8 V、5 MHz開關時實現超過85%效率,及在10 MHz開關時實現超過80%效率。

宜普電源推出高頻單片式氮化鎵半橋功率電晶體,推動12 V轉至1.8 V系統在5 MHz、14 A輸出電流下實現超過85%效率。 (source:EPC)
宜普電源推出高頻單片式氮化鎵半橋功率電晶體,推動12 V轉至1.8 V系統在5 MHz、14 A輸出電流下實現超過85%效率。 (source:EPC)

宜普電源(EPC)推出30 V的增強型單片式半橋氮化鎵電晶體(EPC2111)。透過整合兩個eGaN功率場效應電晶體形成單個元件,可以去除互連電感及節省印刷電路板上元件之間的空隙。這樣可以提高效率(尤其是在更高頻率時)及提高功率密度,而且同時降低終端用戶的功率轉換系統的組裝成本。EPC2111是高頻12 V轉至負載點DC/DC轉換的理想元件。

在EPC2111半橋電晶體內的每一個元件的額定電壓是30 V。上面的場效應電晶體的導通電阻典型值是14 微歐姆,下面的場效應電晶體的導通電阻典型值是6 微歐姆。EPC2111使用晶片級封裝,可以改善開關速度及散熱性能。其尺寸只是3.5 mm x 1.5 mm,功率密度更高。

EPC2111的其中一個主要應用是筆記型電腦及平板電腦運算。在這些系統內,功率轉換電路的佔板面積差不多是50%,而且決定主機板的厚度。氮化鎵電晶體的高頻性能縮小功率轉換所需的佔板面積,因此大大縮小下一代行動電話運算系?的尺寸。

EPC2111單片式半橋元件目前已供貨,可透過Digikey公司購買。

關鍵字: 半橋電晶體  單片式  宜普電源  電晶體 
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