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安森美半导体推出900V和1200V SiC MOSFET 用於高要求高增长应用
 

【CTIMES/SmartAuto 报导】   2020年03月11日 星期三

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推动高能效创新的安森美半导体(ON Semiconductor)推出另两个碳化矽(SiC)MOSFET系列,扩展了其宽能隙(WBG)元件系列。这些新元件适用於各种高要求的高增长应用,包括太阳能逆变器、电动汽车(EV)车载充电、不断电电源设备(UPS)、伺服器电源和EV充电站,提供的性能水准是矽(Si)MOSFET根本无法实现的。

安森美半导体的新的1200伏(V)和900V N型通道SiC MOSFET提供比矽更快的开关性能和更高的可靠性。快速本征二极体具有低反向恢复电荷,显着降低损耗,提高工作频率以及整体方案的功率密度。

小晶片尺寸进一步增强高频工作,达至更小的元件电容和更低的闸电荷-Qg(低至220 nC),从而降低在高频下工作时的开关损耗。这些增强功能比基於Si的MOSFET提高能效,降低电磁干扰(EMI),并可使用更少(或更小)的被动元件。极强固的SiC MOSFET比Si元件提供更高的浪涌额定值、更好的雪崩能力和更高的抗短路性能,从而提供更高的可靠性和更长的使用寿命,这对高要求的现代电源应用至关重要。 较低的正向电压提供无??值的导通状态特性,减少元件导通时产生的静态损耗。

1200V元件的额定电流高达103A(最大ID),而900V元件的额定电流高达118A。对於需要更高电流的应用,安森美半导体的MOSFET可易於并联运行,因其正温系数/不受温度影响。

安森美半导体电源配置部功率MOSFET分部??总裁/总经理Gary Straker针对新的SiC MOSFET元件说:「如果设计工程师要达到现代可再生能源、汽车、IT和电信应用要求的具挑战性的高能效和功率密度目标,他们需要高性能、高可靠性的MOSFET元件。 安森美半导体的WBG SiC MOSFET提升性能至超越矽元件所能提供的,包括更低的损耗、更高的工作温度、更快的开关速度、改善的EMI和更高的可靠性。 安森美半导体为进一步支援工程界,还提供广泛的资源和工具,简化和加速设计流程。」

安森美半导体的所有SiC MOSFET都不含铅和卤化物,针对汽车应用的元件都符合AEC-Q100车规和生产件批准程式(PPAP)。所有元件都采用行业标准的TO-247或D2PAK封装。

關鍵字: SiC  MOSFET  安森美半导体 
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