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英飞凌扩大量产并加速推出CoolSiC MOSFET分离式封装产品组合
 

【CTIMES/SmartAuto 报导】   2019年05月17日 星期五

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英飞凌科技1200 V CoolSiC MOSFET 产品组合进入大量生产阶段。这些产品的额定值从 30 m? 至 350 m? ,并采用 TO247-3 与 TO247-4 封装。另更延伸产品系列,即将推出的新产品包括表面黏着装置 (SMD) 产品组合及 650 V CoolSiC MOSFET 产品系列。藉由这些产品,英飞凌满足了电源转换方案对节能 SiC 解决方案的快速成长需求,包括:电池充电基础设施、能源储存解决方案、光伏逆变器、不断电系统 (UPS)、马达驱动器,以及伺服器和通讯电源开关式电源供应器 (SMPS)。

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英飞凌工业电源控制事业处总裁 Peter Wawer 表示:「在英飞凌,新基础技术的推出必须通过严格品质标准的控管。即使在组装分立封装产品时,其前端和後端的量产生产流程也必须通过验证,包括统计资料的收集、生产监控,以及超越标准化程序的应用相关测试。在碳化矽 (SiC) MOSFET 基底技术安整地完成量产阶段验证後,我们成功地推出工业应用的完整分立式SiC 产品系列。」

如同所有先前采用的 TO247 和 Easy 功率模组封装的CoolSiC MOSFET产品,新款分立式装置采用领先业界的沟槽式 SiC MOSFET 半导体制程技术,兼具最低的应用损耗以及最高的可靠性。此外,根据相关的应用,此闸源工作电压符合分立封装解决方案之需求。低动态损耗特性,致使可藉由简易的单电源闸极驱动方案实现最高的效率。

CoolSiC 沟槽技术独具高於 4 V 的高??值电压额定值 (Vth),并结合低米勒电容。因此,相较於市场上其他的 SiC MOSFET,CoolSiC MOSFET 具有最隹的防止寄生导通效应的抗性。全新的英飞凌 SiC 分立式 MOSFET 结合 +18 V 的导通闸源电压与 5 V 馀量以达到最大额定电压 +23 V,并具有超越矽 (Si) IGBT、超接面 MOSFET 以及其他 SiC MOSFET 的优势。

CoolSiC MOSFET 产品组合包含一个适用於硬换流且坚固耐用的本体二极体,为工程师提供实现最高能源效率以及「以更少投入获得更多产出」的途径。SiC 材料中的 MOSFET 功能可为功率因子校正 (PFC) 电路、双向拓朴,以及任何软硬切换 DC-DC 转换器或 DC-AC 逆变器提供更高的系统设计灵活性。

英飞凌透过一系列精选的驱动 IC 产品完成其分立元件产品阵容,能满足超快速 SiC MOSFET 切换功能的相关需求。CoolSiC MOSFET 与 EiceDRIVER 闸极驱动 IC 共同运用此技术的优势:提高效率、缩减空间与重量、减少零件数量,以及提高系统可靠性。这一切将可降低系统成本、减少营运支出及总体拥有成本,有助於在智慧能源世界中实现新的解决方案。

關鍵字: SiC  Infineon 
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