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英飞凌推出新款1700V CoolSiC MOSFET 采用高压SMD封装
 

【CTIMES/SmartAuto 报导】   2020年06月08日 星期一

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继今年稍早推出的650V产品後,英飞凌科技扩充旗下CoolSiC MOSFET系列电压等级,现在更新添具专属沟槽式半导体技术的1700V电压等级产品。新款1700V表面黏着装置(SMD)产品充分发挥了碳化矽(SiC)强大的物理特性,提供优异的可靠性和低切换及导通损耗。1700V CoolSiC MOSFET适用於三相转换系统的辅助电源供应器,例如:马达、再生能源、充电基础设施及HVDC系统等。

全新1700V CoolSiC沟槽式MOSFET适用於 +12V/0V闸极源极电压与一般PWM控制器相容的返驰式拓扑,因此,无需闸极驱动IC,就能直接以返驰式控制器来运作。
全新1700V CoolSiC沟槽式MOSFET适用於 +12V/0V闸极源极电压与一般PWM控制器相容的返驰式拓扑,因此,无需闸极驱动IC,就能直接以返驰式控制器来运作。

这类低功率应用通常在100W以下运作。在这些情况下,设计人员通常偏好采用单端返驰式拓扑。有了SMD封装的1700V CoolSiC MOSFET後,甚至能在输入电压高达1000VDC的直流连结连接辅助电路启用这种拓扑技术。使用单端返驰式转换器的辅助转换器具高效率和高可靠性,可建置於三相电源转换系统中,进而将尺寸缩到最小并减少物料清单。

英飞凌工业电源控制部门SiC资深协理Peter Friedrichs博士表示:「1700V CoolSiC MOSFET采用沟槽式技术,可完美平衡效能及可靠性。它结合SiC的出色特性:在高压SMD封装中提供精巧尺寸及低损耗,有助於让我们的客户大幅降低其辅助电源供应器的复杂性。」

1700V阻断电压消除了设计上针对过电压馀度及电源供应器可靠度的疑虑。CoolSiC沟槽式技术具备此电压等级电晶体的最低装置电容和闸极电荷。因此,与先进的1500V矽MOSFET相比,其功率耗损减少了50%以上,效率也提升了2.5%。与其他1700V SiC MOSFET相比,其效率提升0.6%。低损耗有助於打造尺寸精巧的SMD封装,以自然对流冷却的方式进行组装,不再需要散热器。

全新1700V CoolSiC沟槽式MOSFET适用於+12V/0V闸极源极电压与一般PWM控制器相容的返驰式拓扑,因此,无需闸极驱动IC,就能直接以返驰式控制器来运作。导通电阻额定值为450m?、650m?或1000m?。全新7引脚D2PAK SMD封装提供7mm以上的爬沿距离及空间距离,可实现一般1700V应用的要求和PCB规格,将整个设计的隔离效果降到最少。

采用D2PAK-7L封装的1700V CoolSiC MOSFET已开始批量上市。

關鍵字: MOSFET  Infineon 
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