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英飞凌推出表面黏着 D2PAK 封装650V IGBT 提供最高功率密度
 

【CTIMES/SmartAuto 林彥伶报导】   2018年05月30日 星期三

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英飞凌科技股份有限公司扩展TRENCHSTOP 5薄晶圆技术产品组合,推出IGBT与全额定电流 40 A 二极体共同封装於表面黏着 TO-263-3 外型 (也就是 D2PAK) ,最高达40 A的 650V IGBT。

英飞凌推出表面黏着 D2PAK 封装650V IGBT 提供最高功率密度
英飞凌推出表面黏着 D2PAK 封装650V IGBT 提供最高功率密度

全新的 TRENCHSTOP 5 IGBT 采用 D2PAK 封装,可满足自动化表面黏着组装的电源装置对於更高功率密度日益增加的需求。需要最高功率密度及效率的典型应用包括太阳能逆变器、不断电系统 (UPS)、电池充电及能源储存。

英飞凌的超薄 TRENCHSTOP 5 技术可在更小的晶片尺寸中提供更高的功率密度。因此,英飞凌业界首创将 40 A 650V IGBT 与 40 A 二极体共同置於 D2PAK 外壳中。相较於其他采用 D2PAK 的产品,新系列产品提供更高的额定值,优於市面上任何其他产品,且其他共同封装解决方案仅提供 75% 的功率。

新装置的高功率密度,可协助设计人员升级现有设计,开发新平台提升高达 25% 的高功率输出,或减少同时使用的电源零件数量,进而让设计更精巧。独特的40A D2PAK 共同封装,可作为取代表面黏着使用之 D3PAK 或 TO-247的替代方案,并容易焊接,实现快速可靠的组装。

關鍵字: IGBT  Infineon 
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