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东芝推出第二代650V碳化矽肖特基势垒二极体
具备更高顺向浪涌电流

【CTIMES/SmartAuto 陳復霞整理报导】   2017年01月13日 星期五

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东芝公司(Toshiba)旗下储存与电子元件解决方案公司推出第二代650V碳化矽(SiC)肖特基势垒二极体(SBD),该二极体将该公司现有产品所提供的顺向浪涌电流(IFSM)提高了约70%。新系列八款碳化矽肖特基势垒二极体出货即日启动。

东芝第二代650V碳化矽(SiC)肖特基势垒二极体出货即日启动。
东芝第二代650V碳化矽(SiC)肖特基势垒二极体出货即日启动。

这些新的碳化矽肖特基势垒二极体采用东芝的第二代碳化矽制程制造,与第一代产品相比,顺向浪涌电流提高了约70%,同时开关损耗指标RON * Qc降低了大约30%,这使它们适用于高效功率因数校正(PFC)方案中。

这些新产品提供4A、6A、8A和10A 4种额定电流,支援非隔离型TO-220-2L封装或隔离型TO-220F-2L封装。这些产品有助于提高4K大萤幕液晶电视、投影机和多功能事务机等装置以及通讯基地台和电脑伺服器等工业设备的电源效率。

關鍵字: 肖特基势垒二极体  SBD  碳化硅  SiC  东芝  东芝  系統單晶片 
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