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英飛凌推出CoolSiC MOSFET評估板 適用於最高7.5kW馬達驅動
 

【CTIMES/SmartAuto 報導】   2019年11月14日 星期四

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碳化矽(SiC)正逐漸成為太陽能光電和不斷電系統等應用的主流。英飛凌科技股份有限公司正將這項寬能隙技術鎖定另一組目標應用:EVAL-M5-E1B1245N-SiC評估板將有助於SiC在馬達驅動的應用中奠定基礎,並強化英飛凌在工業SiC市場的領先地位。該評估版的開發目的是在客戶以最大7.5kW馬達輸出進行工業馬達應用設計的最初階段提供協助。

EVAL-M5-E1B1245N-SiC評估板已針對通用型馬達及伺服馬達進行最佳化,並具有非常高的頻率。它具備六單元(Sixpack)組態1200V CoolSiC MOSFET的EasyPACK 1B,以及45mΩ的一般導通電阻。
EVAL-M5-E1B1245N-SiC評估板已針對通用型馬達及伺服馬達進行最佳化,並具有非常高的頻率。它具備六單元(Sixpack)組態1200V CoolSiC MOSFET的EasyPACK 1B,以及45mΩ的一般導通電阻。

此評估板包含EasyPACK 1B-CoolSiC MOSFET (FS45MR12W1M1_B11)、三相AC連接器、EMI 濾波器、整流器及用於連接馬達的三相輸出。此款評估板以模組化應用設計套件(MADK)為基礎,配備英飛凌標準M5 32腳位介面,可連接控制單元如XMC DriveCard 4400或1300。其輸入電壓涵蓋340至480VAC的範圍。

這款MADK系列新成員已針對通用型馬達及伺服馬達進行最佳化,並具有非常高的頻率。它具備六單元(Sixpack) 組態1200V CoolSiC MOSFET的EasyPACK 1B,以及45mΩ的一般導通電阻。功率級包含電流與電壓的感測電路,配備無感測器磁場導向控制(FOC)的所有組合元件。EVAL-M5-E1B1245N-SiC具有低電感設計、整合NTC溫度感測器及無鉛端子鍍層,符合RoHS規範。

EVAL-M5-E1B1245N-SiC已開始接受訂單。

關鍵字: MOSFET  Infineon(英飛凌
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