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Littelfuse瞬態抑制二極體陣列可保護28nm尺寸以下晶片組免受ESD損害
 

【CTIMES 陳復霞整理報導】   2017年09月26日 星期二

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全球電路保護領域企業Littelfuse推出0.9pF , ±30kV分散式單向瞬態抑制二極體陣列(SPA二極體)系列產品。SP3222系列瞬態抑制二極體陣列將低電容軌到軌二極體和附加的稽納二極體組合在一起,為可能遭受破壞性靜電放電(ESD)的電子設備提供保護。 這種功能強大的二極體符合AEC-Q101標準,可安全吸收高於國際標準規定的最高級別的反復性ESD放電,且性能不會下降。

SP3222系列瞬態抑制二極體陣列安全吸收反復性ESD衝擊,同時避免性能減退
SP3222系列瞬態抑制二極體陣列安全吸收反復性ESD衝擊,同時避免性能減退

低負載電容使其成為MIPI攝像頭和顯示器、USB2.0、USB3.0和eSATA等高速資料線提供ESD保護的理想選擇。 該系列產品非常適合保護尺寸為28nm及以下的最新靈敏型晶片組免受破壞性ESD損壞。

SP3222系列瞬態抑制二極體陣列的其他應用包括高速序列介面、MHL、DisplayPort 1.3、機上盒、遊戲機、智能手機、外部存放裝置、筆記型電腦、超薄型筆記型電腦、平板電腦和電子閱讀器。

「SP3222系列可提供極低的動態電阻,確保在各種電流分佈下發揮出色的箝位性能,從而提供更優越的ESD保護。」Littelfuse瞬態抑制二極體陣列業務開發經理Tim Micun表示, 「該系列瞬態抑制二極體陣列在8kV ESD條件下的允通電壓不超過40V,可提供出色的電壓回應,這對於保護小型敏感晶片組尤其重要。」

SP3222系列(表面黏著式 SOD-883封裝)提供卷帶包裝,最小訂購量為10,000只。 樣品可向世界各地的授權Littelfuse經銷商索取。

產品特色

‧低峰值電壓(8kV ESD條件下標稱電壓低於40V)可提供最低的允通電壓,從而快速有效地保護小型敏感晶片組。

‧極低的動態電阻(0.17 ohms)可確保卓越的傳輸線脈衝(TLP)性能,這是保護尺寸為28nm及以下晶片的一個關鍵要素。

‧AEC-Q101認證意味著其能夠在比預期工作環境更加惡劣的條件下持續工作。

‧工業標準SOD-883封裝可降低整體成本,並保證較高的產品供貨能力。

關鍵字: 瞬態抑制二極體陣列  28nm  晶片組  ESD(靜電放電Littelfuse  利特  系統單晶片 
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