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儒卓力供货高功率密度的威世N-Channel MOSFET
 

【CTIMES/SmartAuto 报导】   2020年02月19日 星期三

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SiSS12DN MOSFET在10V下的1.98mΩ低导通电阻(RDS(ON))可以最大限度地降低传导损耗。此外,该器件的680pF低输出电容(Coss)和28.7nC的最隹化闸极电荷(Qg)则可减少与开关相关的功率损耗。

威世SiSS12DN 40V N-Channel MOSFET的设计初衷就是要提高功率转换拓扑中的功率密度和效率。其采用3.3x3.3mm紧凑型PowerPAK 1212-8S封装,可提供低於2mΩ级别中的最低输出电容。
威世SiSS12DN 40V N-Channel MOSFET的设计初衷就是要提高功率转换拓扑中的功率密度和效率。其采用3.3x3.3mm紧凑型PowerPAK 1212-8S封装,可提供低於2mΩ级别中的最低输出电容。

与采用6x5mm封装的类似解决方案相比,TrenchFET Gen IV功率MOSFET占用的印刷电路板(PCB)空间减少了65%,从而实现了更高的功率密度。它们通过了100%的RG和UIS测试,符合RoHS要求且不含卤素。

这款N-Channel MOSFET的应用包括AC/DC电源中的同步整流;针对电讯、伺服器和医疗设备的DC/ DC转换器中的初级和次级侧开关;用於伺服器和电讯设备中电压调节的半桥功率级和降压-升压转换器;电讯和伺服器电源中的OR-ing功能;用於开关电容器或开关箱转换器的功率级;电动工具和工业设备中的电机驱动控制;以及电池管理模组中的电池保护和充电。

關鍵字: 儒卓力 
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