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英飛凌 Bulk-CMOS 射頻開關產量逾50億組
 

【CTIMES/SmartAuto 林彥伶 報導】   2018年07月31日 星期二

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英飛凌科技股份有限公司於 2008 年開始量產第一個 Bulk-CMOS 射頻 (RF) 開關。接著在 5G 時代的曙光中,英飛凌精良的產品組合與產品獲得全球無線市場創新業者前所未有的歡迎。如今,英飛凌射頻 Bulk-CMOS 開關的年產量遠超過10億,累積對客戶的出貨量已逾50億組。

英飛凌於 2008 年開始量產第一個 Bulk-CMOS 射頻 (RF) 開關。如今,英飛凌射頻 Bulk-CMOS 開關的年產量遠超過10億,累積對客戶的出貨量已逾50億組。
英飛凌於 2008 年開始量產第一個 Bulk-CMOS 射頻 (RF) 開關。如今,英飛凌射頻 Bulk-CMOS 開關的年產量遠超過10億,累積對客戶的出貨量已逾50億組。

英飛凌射頻系統部門副總裁暨總經理 Philipp von Schierstaedt 表示:「英飛凌憑藉其在半導體製造方面深獲肯定的專業知識與傳承,已成為所有OEM、ODM與晶片組經銷商的首選合作夥伴。絕佳的市場接受度證明了我們對射頻前端系統的洞察、技術實力、卓越的品質以及供應保證,這些正是英飛凌的生產策略。」

Bulk-CMOS 提供多項產品整合優勢。自 1960 年代「固態」面市以來,射頻開關的設計技術走向兩大類:微機電開關 (MEMS) 和固態開關。MEMS 的低切換速度、薄弱的重複性及可靠性,使其無法成為 5G 應用的理想選擇。

同時,科學上的努力讓固態的發展有了多種技術選擇。相較於砷化鎵與氮化鎵,以 Bulk-CMOS 為基礎的電晶體–電晶體邏輯展現出最佳的整合能力,最終使空間受限的設計得以在印刷電路板上實現。不同於其他替代方案,Bulk-CMOS 不需要額外的氧化層,也無需在晶圓處理中使用不同的材料,這意味著直接的經濟效益。

整體產業的步伐不斷加快,5G 電信的出現也為 OEM 與 ODM 業者手中一系列的技術參數帶來令人雄心勃勃的挑戰。英飛凌也將開發更多能支持射頻工作者抱負的產品。

新一代 Bulk-CMOS 射頻開關、新型天線抽換設備 BGSX22G5A10 與 BGSX33MA16 ,其樣品已提供領先業界的電氣性能。預計於2018年夏末開始量產,以確保持續供應射頻開關。

關鍵字: CMOS  射頻開關  Infineon(英飛凌
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