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聯電推出40奈米SST嵌入式快閃記憶體製程 東芝的MCU將採用
 

【CTIMES/SmartAuto 報導】   2017年12月21日 星期四

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聯華電子今宣布,該公司推出40奈米結合Silicon Storage Technology(SST)嵌入式SuperFlash非揮發性記憶體的製程平台。新推出的40nm奈米SST嵌入式快閃記憶,較量產的55奈米單元尺寸減少20%以上,並使整體記憶體面積縮小了20-30%。東芝電子元件&存儲產品公司已開始評估其微處理器(MCU)晶片於聯電40奈米SST技術平台的適用性。

東芝電子元件&存儲產品公司混合信號晶片部門副總松井俊也表示:「我們期待採用聯電40奈米SST技術有助於提升我們MCU產品的性能。與聯電合作,透過穩定的製造供應及配合我們的生產需求提供靈活的產能,亦將使我們能夠保持強勁的業務連續性計劃 (BCP)。」

已有超過20個客戶和產品正以聯電55奈米SST嵌入式快閃記憶體製程進行各階段的生產,包含了SIM卡,金融交易,汽車,物聯網,MCU及其他應用產品。

聯華電子特殊技術組織協理丁文琪表示:「自2015年提供55奈米SST嵌入式快閃記憶體成為主流技術以來,我們一直受到客戶的高度關注,藉此製程平台所具有的低功耗、高可靠度及卓越的數據保留和高耐久性的特性,可用於汽車、工業、消費者和物聯網的應用。我們很高興將這些產品進入大批量產,並正努力將這嵌入式快閃記憶體解決方案擴展到40奈米的技術平台,期待將SST的高速度和高可靠性優勢帶給東芝和其他晶圓專工客戶。」

聯電的分離式閘極記憶體單元SST製程,依據JEDEC所制定的規範標準,具100K耐久性和在85℃及工作溫度範圍為-40℃至125℃溫度下,數據可保存10 年以上。

關鍵字: 聯電 
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