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力旺電子NeoFuse成功導入華邦25奈米DRAM製程平台
 

【CTIMES/SmartAuto 報導】   2019年06月25日 星期二

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力旺電子今日宣布其一次可編程(OTP)記憶體矽智財NeoFuse成功導入華邦電子25奈米DRAM製程平台,即將進入量產階段,有助於客戶在車用、工業、5G通訊等新的市場應用取得先機。

NeoFuse矽智財使DRAM產品在封裝前的晶片測試及封裝後的產品測試均可進行修補,達到多次修補(Multi-Repair)的目的。與傳統雷射調校(Laser Trimming)相比,不僅降低調校成本與時間,並可使製造測試流程更加便利。尤其是在晶片封裝後仍可進行修補(Repair),大為提升多晶片封裝(MCP)產品的生產良率。

可相容於DRAM製程平台的NeoFuse技術提供優於一般工作範圍的操作電壓區間,有利於客戶在產品設計上具備彈性並有效降低功耗。此外,NeoFuse的高編程良率,只需一次編程便可將資料成功寫入,可大幅降低操作的複雜性和測試成本。

力旺業務發展中心副總何明洲表示:「力旺的矽智財解決方案已成功地導入各類型的晶片應用。我們非常榮幸可以與世界領導之記憶體供應商華邦電子共同合作,將力旺的NeoFuse導入25奈米DRAM製程,我相信此項合作可使整體產品測試更加靈活,更有效率地提供符合高階客戶與應用需求的產品。」

力旺與華邦此次的合作對雙方來說均是重要的里程碑,顯示其在創新技術上的持續努力與致力提供值得信賴、高品質解決方案的決心。除了現階段在25奈米DRAM製程的合作外,雙方更進一步進行NeoFuse在二代DRAM製程的開發計畫,預計在不久後即可完成佈建。

關鍵字: 矽智財  力旺  華邦 
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