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研發存儲級記憶體! 旺宏與IBM續攻相變化記憶體技術
 

【CTIMES/SmartAuto 籃貫銘 報導】   2018年12月25日 星期二

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旺宏電子(Macronix)董事會昨日決議通過,將與IBM簽訂合約,繼續進行「相變化記憶體(PCM)」的合作開發。雙方將共同分擔研發費用,為期3年,合約計畫期間為明年1月22日至2022年1月21日。

2015年旺宏便與IBM共同發表了一顆使用90奈米製程容量為512Mb的相變化記憶體樣品。
2015年旺宏便與IBM共同發表了一顆使用90奈米製程容量為512Mb的相變化記憶體樣品。

而雙方合作的目標,就是要持續研發所謂「存儲級記憶體(Storage Class Memory)」的技術。

儲存級記憶體技術是IBM在2008年所提出,它是一種在DRAM和NAND Flash SSD之間的新記憶體,能進一步提升電腦的處理效能。

旺宏電子曾在《奈米通訊》裡指出,儲存級記憶體有兩種形式,一種是偏DRAM,稱之為記憶型式存儲級記憶體(Memory Type Storage Class Memory),這種形式會跟DRAM一起工作,DRAM可將資料先行儲存在記憶型式存儲級記憶體,以解決DRAM不具有揮發性的問題。

另一種形式則是比較偏向固態硬碟,是取代目前的固態硬碟,其名稱為儲存型式存儲級記憶體(Storage Type Storage Class Memory),但這種形式的記憶容量要追上目前以NAND為基礎的固態硬碟已是不太可能。

也因此,旺宏電子希望發展的產品應用,便是記憶形式的儲存級記憶體。

在目前的前瞻記憶體技術裡,包含磁性記憶體(MRAM)、相變化記憶體(PCM)、電阻式記憶體(RRAM)等。旺宏則是看好PCM的應用潛力,並與IBM合作,共同研發相關的技術。

2014年時,IBM就在國際電子元件會議(Internationlectron Device Meeting)中,提出了PCM具有做為儲存式記憶體具的潛力。

隔年,2015年的超大型積體技術及電路研討會(Symposia on VLSI Technology and Circuits)上,旺宏便與IBM共同發表了一顆使用90奈米製程容量為512Mb的相變化記憶體樣品。

旺宏指出,降低成本是發展PCM的最大挑戰,但多值化操作將可以有效的降低成本。此外,多值化操作也可使記憶體的記憶容量大幅提升,但記憶體的元件效能將會有所減損。不過使用目前製程技術的樣品已展現極佳的性能,看好PCM有機會做為存儲級記憶體的應用。

關鍵字: 相變記憶體  旺宏 
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