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5G来临 氮化??将逐步取代LDMOS
 

【CTIMES/SmartAuto 籃貫銘 报导】   2020年03月02日 星期一

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光电协进会(PIDA)指出,氮化??(GaN)将逐步取代基地台射频功率放大器中的LDMOS。尽管LDMOS技术目前仍占最大的营收部分,但为了要支撑次世代无线网路元件更高频、更高效率,设备制造商和运营商张开双臂的拥抱GaN元件,特别是在30 GHz至300 GHz的更高频率5G部署(包括毫米波段)。

光电协进会林政贤产业分析师表示,根据Strategy Analytics市场预测,RF GaN元件在2018年至2023年的营收增长了22%,将会在2023年超过17亿美元。这种快速增长的动力来自4G基地台部署普及和电信基地台升级,以及国防、雷达、卫星通讯应用上取代LDMOS元件。林政贤认为,LDMOS可能在两年,甚至三年内仍将是基地台最大的电源技术,在未来小於6GHz频率与高频毫米波的5G频谱组合,GaN市场将更加显着。

随着功率及射频元件发展趋势,GaN部署的态势逐渐明朗,全球各家厂商都已开始往GaN材料做研发与专利布局,诸如科锐(Cree)、住友电工(Sumitomo Electric)、英特尔(Intel)等争抢次世代科技专利主导权。台湾方面的砷化??(GaAs)厂商亦开始看重并转进投资GaN 晶圆制造、封装测试,诸如:台积电已提供6寸 GaN-on-Si 晶圆代工服务;嘉晶6 寸GaN-on-Si 磊晶矽晶圆,已进入国际IDM厂认证阶段;稳懋6寸GaN-on-SiC 晶圆代工服务,瞄准高功率PA 及天线等地应用,台厂在全球半导体产业链上中游占据重要地位。

台积电就在2月宣布和意法半导体共同合作氮化??制程技术的研发,希??加速分离式与整合式氮化??元件产品导入市场。世界先进和Qromis共同合作开发8 寸GaN-on-QST,预估今年会有小量送样的进度。在功率产品上,小米本月在发布会宣布推出导入GaN 技术的65W快充??头,GaN晶片是由纳微半导体 (Navitas),只需45分钟就可为小米10 Pro手机充满电。

關鍵字: PIDA 
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