账号:
密码:
CTIMES/SmartAuto / 新闻 /
高容量内存 可望因3D IC而不再是奢侈品
 

【CTIMES/SmartAuto 朱致宜 报导】   2010年06月24日 星期四

浏览人次:【4493】
  

旺宏电子今日(6/24)发表最新的3D NAND Flash研究成果,其总经理卢志远表示,这颗3D IC与一般讨论的Sip、TSV技术不同,但是能够大幅降低Bit Cost。未来若能步入量产,可以解决高容量内存成本高昂的问题,最高目标希望能与硬盘并驾齐驱,甚至超越硬盘。

旺宏电子总经理卢志远对于最新的3D NAND Flash技术感到相当兴奋。 BigPic:350x234
旺宏电子总经理卢志远对于最新的3D NAND Flash技术感到相当兴奋。 BigPic:350x234

根据ITRS评估,3D IC是让NAND Flash可以持续维持微缩,并且让内存内电子数目保持在100颗以上的方案。Toshiba在2007年提出的BiCS技术,由于可让减低光罩制程的支出成本,让业界为之一惊纷纷跟进,今日旺宏电子所发表的新技术,即是由此衍伸进化而来。

卢志远认为,Floating Gate Flash技术虽然勉强延续到今日,但其实在30奈米阶段,就已经面临瓶颈。尤其在行动装置需求甚殷,3D IC需求渐长的状况下,FG在进入3D IC领域时遇到了很大的问题。由于FG不像SONOS一般本身就是绝缘体,可兼任电荷的储存场所,故必须处处绝缘,以防止电荷到处流动。所以,卢志远表示,FG在3D IC领域无法克服的困难,至多发展至10奈米,便会迈向衰败,此时此刻正是3D VG NAND切入的机会点。

旺宏电子今日宣布之技术在译码方面进行创新,采取三平面相交一点,以决定内存的位置。此外,并在Toshiba的基础上,以BE-SONO为组件,在电性表现上更优异。目前于相同领域进行研发的除了旺宏电子,还有Samsung。卢志远说,旺宏的技术特点在于采用垂直闸极架构,让电流以水平方式流动,以避免一般3D IC邻近垂直内存间彼此干扰的问题。也因此,采此技术制造的内存可以在厚度变薄的情况下增加层数,提高内存的密度。

關鍵字: 3D IC  NAND Flash  旺宏電子  卢志远  存储元件 
相关新闻
群联持续扩大研发人才招募 五期厂区厂房与停车场上梁动土
晶圆代工产能紧缺 NAND Flash控制器将涨约15~20%
2021年第一季NAND Flash仍供过於求 估季跌幅约10~15%
Ansys获双项台积电年度开放创新平台合作夥伴奖
东台精机联手东捷科技 展出5G电路板与先进封装设备
comments powered by Disqus
相关讨论
  相关新品
OMAP 4处理器
原厂/品牌:TI
供应商:TI
產品類別:CPU/MPU
CWFA205: WiFi+BT
原厂/品牌:鉅景
供应商:鉅景
產品類別:RF
GPS SiP Module
原厂/品牌:鉅景
供应商:鉅景
產品類別:RF
  相关产品
» Maxim Integrated:智能边缘可有效提高工厂生产力
» 英特尔将神经形态研究系统扩展至1亿个神经元
» ST:功能安全将是工业4.0的重中之重
» 伺服器48V新标准正热 Vicor三相RFM满足机架电源新挑战
» 拓展伺服器记忆体产品组合 Crucial 首推 32GB NVDIMM 系列
  相关文章
» 站稳智慧运算的设计制高点开拓AI版图
» 迈向1nm世代的前、中、後段制程技术进展
» 能耗个个击破 5G与AI的节能之战
» FPGA从幕前走向幕後
» 智慧联网应用引动IC设计进入新整合时代

AD


刊登廣告 新聞信箱 读者信箱 著作權聲明 隱私權聲明 本站介紹

Copyright ©1999-2021 远播信息股份有限公司版权所有 Powered by O3
地址:台北市中山北路三段29号11楼 / 电话 (02)2585-5526 / E-Mail: webmaster@ctimes.com.tw