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高容量内存 可望因3D IC而不再是奢侈品
 

【CTIMES/SmartAuto 朱致宜 报导】   2010年06月24日 星期四

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旺宏电子今日(6/24)发表最新的3D NAND Flash研究成果,其总经理卢志远表示,这颗3D IC与一般讨论的Sip、TSV技术不同,但是能够大幅降低Bit Cost。未来若能步入量产,可以解决高容量内存成本高昂的问题,最高目标希望能与硬盘并驾齐驱,甚至超越硬盘。

旺宏电子总经理卢志远对于最新的3D NAND Flash技术感到相当兴奋。 BigPic:350x234
旺宏电子总经理卢志远对于最新的3D NAND Flash技术感到相当兴奋。 BigPic:350x234

根据ITRS评估,3D IC是让NAND Flash可以持续维持微缩,并且让内存内电子数目保持在100颗以上的方案。Toshiba在2007年提出的BiCS技术,由于可让减低光罩制程的支出成本,让业界为之一惊纷纷跟进,今日旺宏电子所发表的新技术,即是由此衍伸进化而来。

卢志远认为,Floating Gate Flash技术虽然勉强延续到今日,但其实在30奈米阶段,就已经面临瓶颈。尤其在行动装置需求甚殷,3D IC需求渐长的状况下,FG在进入3D IC领域时遇到了很大的问题。由于FG不像SONOS一般本身就是绝缘体,可兼任电荷的储存场所,故必须处处绝缘,以防止电荷到处流动。所以,卢志远表示,FG在3D IC领域无法克服的困难,至多发展至10奈米,便会迈向衰败,此时此刻正是3D VG NAND切入的机会点。

旺宏电子今日宣布之技术在译码方面进行创新,采取三平面相交一点,以决定内存的位置。此外,并在Toshiba的基础上,以BE-SONO为组件,在电性表现上更优异。目前于相同领域进行研发的除了旺宏电子,还有Samsung。卢志远说,旺宏的技术特点在于采用垂直闸极架构,让电流以水平方式流动,以避免一般3D IC邻近垂直内存间彼此干扰的问题。也因此,采此技术制造的内存可以在厚度变薄的情况下增加层数,提高内存的密度。

關鍵字: 3D IC  NAND Flash  旺宏電子  卢志远  存储元件 
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