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TrendForce:次世代记忆体有??於2020年打入市场
 

【CTIMES/SmartAuto 报导】   2019年05月20日 星期一

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不论是DRAM或NAND Flash,现有的记忆体解决方案面临制程持续微缩的物理极限,意即要持续提升性能与降低成本都更加困难。因此,Intel Optane等次世代记忆体近年来广受讨论,希??在有限度或甚至不改变现有平台架构的前提下,找到新的解决方案。TrendForce记忆体储存研究(DRAMeXchange)认为,次世代记忆体与现有解决方案各有优劣,最关键的机会点仍是在於价格。

TrendForce表示,目前包含Intel、三星与美光等记忆体厂商皆已投入次世代记忆体解决方案,如MRAM、PRAM和RRAM等。以Intel的Optane为例,是以3DxPoint为设计基础的伺服器类产品,由於现在已经推出与市面上伺服器模组能够完全相容的DIMM,对主机板设计厂而言,同样的??槽可以依据整机成本的考量,自由更换伺服器记忆体模组或Optane解决方案。

然而,由於次世代记忆体尚未规模化与标准化,因此成本较高,所以厂商目前几??都锁定在资料中心等特殊应用,尤其是超大规模资料中心拥有相对高程度的客制化设计,可以针对不同记忆体规划新的配置。

近年来由於智慧终端装置的普及加上人工智慧技术逐渐成熟,使得大部分应用服务皆藉由伺服器来进行统合,尤其是需要倚赖庞大数据进行运算与训练的应用服务。此外,伴随着虚拟化平台及云储存技术发展,伺服器需求与日俱增,也带动超大规模资料中心(hyperscale datacenter)的成长。根据TrendForce调查显示,全球超大规模资料中心的建置数量於2025年预计将达1,070座,2016年至2025年CAGR达13.7%。

从市场面来看,DRAM与NAND目前皆处於供过於求,使得现有记忆体解决方案价格维持在低点。以DRAM来说,价格持续下跌基本上是受到伺服器与智慧型手机的需求下滑,导致消耗量急冻与库存攀高;而NAND则是因为竞争者众多,而陷入市占争夺的状态,且由2D NAND转向不同程度的3D NAND造成供给位元大幅度增长。综合以上所述,2019年的DRAM与NAND价格同时快速滑落,而且NAND的价格正逐渐逼近厂商的现金成本。

随着现有记忆体解决方案价格越来越便宜,对次世代记忆体来说并非最好的切入点,但展??未来,需求陆续回温与价格弹性所带动的库存回补动能,可??带动2020年的记忆体价格止跌反弹,让次世代解决方案有机会打入市场。TrendForce认为,市场在未来的几年间,将会在特殊领域当中逐渐增加次世代记忆体的考量与运用,成为现有解决方案的另一个新选项。

關鍵字: 記憶體  TrendForce 
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