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5年1500万美元 工研院与Intel共推3D内存
 

【CTIMES/SmartAuto 朱致宜 报导】   2011年12月06日 星期二

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Intel今日(12/6)与工研院、经济部技术处共同宣布一项针对下世代内存技术的合作案,未来五年总投入金额共达一千五百万美元。这是Intel在Ultrabook以及行动装置的布局,工研院将提供 IC 架构及软件技术,目标是在五年内,将内存功耗节省至10倍、甚至百倍以上。

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Intel副总裁暨技术长,同时也是Intel Lab总监Justin Rattner表示,技术必须配合商业才能产生火花,Intel、工研院以及经济部技术处将在未来五年内,三方各投入五百万美元进行此技术研发。初步计划是开发超快速且节能性高的内存技术,应用在Ultrabook以及平板计算机、智能型手机等手持式装置。

工研院资通所组长吴诚文表示,这项合作案谈了一年多终于定案,决定在手持式装置部份,利用TSV硅穿孔技术,以堆栈方式将处理器与内存结合,有效缩减硬件空间,并将传输速度与容量再向上推。其中技术最大的难处,在于内存与处理器两者的耗电量以及速度有着相当大的落差。

吴诚文表示,除了三方共同投资的一千五百万美元之外,并希望至少从第二年开始在企业界导入(投资),目前并未设立资金门坎。工研院资通所组长吴诚文表示,未来晶圆制造产业的产业链可能有些变化,上下游任何业者,目前兴趣最高的厂商是晶圆制造公司或IC设计业者等半导体产业链,手机相关业者反而兴趣普普。未来新型态内存专利所有权属于工研院,但如需使用到CPU相关专利,厂商仍必须付给Intel授权金。

目前22奈米Tri-Gate三闸极晶体管目前已经正在量产之中,等于在制程之战拉大与台积电与三星的距离。Justin Rattner表示,这样的鸿沟是其他厂商无法企及的,对于目前市场上传言台积电与三星不想跟随Intel的脚步,Justin Rattner显然信心十足,他说,除了三闸极晶体管技术,Intel目前手上的光互连技术(Optical Interconnect),Computational Lighthorgraphy(光微影技术),以及High-K Germanium技术甚至Nanowires奈米线技术等,这些投资是非常巨额的,任何其他制造商若想建立自己的制程标准,他认为「危险」,且「过于昂贵」。

不过,针对这项合作,毕竟工研院是在技术面进行整合,台湾方面并无法与Intel获得任何承诺,五年后此项技术会是唯一的标准。五年合作时间如技术演进杀出程咬金,其实难保会再有下一个「Wimax门」出现。

關鍵字: 3D IC  intel  工研院  吴诚文  吴明机  Justin Rattner 
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