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華虹半導體宣佈第二代0.18微米5V/40V BCD製程平臺成功量產
 

【CTIMES/SmartAuto 報導】   2018年10月11日 星期四

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中國晶圓代工廠華虹半導體宣佈,其第二代0.18微米5V/40V BCD製程平臺已成功量產,該平臺具有導通電阻低、高壓種類全、光刻層數少等優勢,非常適合於工業控制應用和DC-DC轉換器。

第二代0.18微米5V/40V BCD製程平臺40V DMOS擊穿電壓達到52V,其導通電阻低至 20 mOhm.mm2,達到該節點領先水準,可提高產品的驅動能力,減小晶片面積,擴大高壓管安全工作區(Safe-Operation-Area, SOA),保證產品的高可靠性。

該製程平臺最少光罩層數為18層。該平臺提供豐富的可選元件,包括高阻、電容、Zener二極體、肖特基二極體等。

此外,該平臺還提供in-house設計的標準單元庫、SRAM編譯器、IO和eFuse,從而為電源管理晶片提供完善的設計解決方案。目前已完成應用於電機驅動、快充、通訊、安防、DC-DC、LDO等多個領域晶片產品的驗證,並成功進入量產。

華虹半導體執行副總裁孔蔚然博士表示,華虹半導體一直將電源管理平臺視作研發的重點之一,第二代0.18微米5V/40V BCD量產標誌著我們在PMIC領域的核心競爭力再度提升。展望未來,我們還將持續拓展更先進的智慧電源管理平臺,為客戶提供差異化技術的競爭優勢。

關鍵字: 華虹 
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