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鎖定物聯網應用 格羅方德推22FDX低功耗平台
 

【CTIMES 邱倢芯 報導】   2016年11月02日 星期三

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物聯網(IoT)商機無限。針對物聯網低功耗晶片需求,國外晶圓代工大廠GlobalFoundries(格羅方德)推出了22FDX平台,其性能表現與FinFET(鰭式場效電晶體)類似,成本與28nm(奈米)接近,且擁有超低耗電,以及超低漏電等優點。

Globalfoundries技術長Gary Patton表示,FinFET雖是一個不錯的選擇,但由於設計複雜,加上成本較高,且須多重曝光,對於務聯網相關裝置廠商而言負擔過重。
Globalfoundries技術長Gary Patton表示,FinFET雖是一個不錯的選擇,但由於設計複雜,加上成本較高,且須多重曝光,對於務聯網相關裝置廠商而言負擔過重。

Globalfoundries技術長Gary Patton表示,FinFET雖是一個不錯的選擇,但由於設計複雜,加上成本較高,且須多重曝光,對於務聯網相關裝置廠商而言負擔過重;這一類的廠商的要求在成本、功耗、性能表現上只須達到平衡即可。所以對於他們而言,22FDX會是一個較好的選擇。

Patton說明,22FDX為一項FD-SOI的技術,只需要28nm FinFET製程的成本,即可得到相同的效能。成本低廉且功耗需求小於0.4V,漏電值約只有1pA;其是由軟體控制的基體偏壓(Body-bias),可在單一晶片上整合射頻(RF)功能,節能省電,對於物聯網裝置而言是相當合適的選擇。

據了解,22FDX是將Oxide Layer(薄型氧化物質層)與Silicon Layer(矽層)堆疊在一起,如此一來,即可改善Short Channel(短通道效應)。

Patton進一步表示,在2016年9月時,該公司也宣布將eMRAM技術加入22FDX平台當中,用以提升晶片寫入速度,以及提高續航能力。未來預計也會將eMRAM推展至FinFET製程當中。

Patton認為,eMRAM技術可以提升視覺處理還有3D繪圖能力。為了推行此一技術,該公司日前也建立起相關的生態圈-FDXcelerator。此一生態圈中有分別來自EDA、IP、ASIC等領域的合作伙伴,且近期預計還會增加六至七個盟友。

另一方面,GlobalFoundries在14奈米FinFET製程進入量產之後,隨即宣布下一階段將直接投入7奈米製程的相關研發,直接跳過了10nm製程。對此,Patton說明,10奈米製程可提供給客戶的價值並不高。10奈米製程只能算是半個節點,而14奈米直接轉入7奈米可以提供客戶整個節點的擴充。

據悉,相對於14奈米,7nm製程邏輯密度可以達到17M gates/mm2以上,且性能表現可大於3.5GHz A72,也就是說比14nm更多了30%。

關鍵字: 22FDX  FinFET  FD-SOI  GlobalFoundries 
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