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新世代IC重要技术发展趋势研讨会
 


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開始時間﹕ 八月六日(五) 09:00 結束時間﹕ 八月六日(五) 11:50
主办单位﹕ 工研院IEK
活動地點﹕ 福华文教会馆103室-台北市新生南路三段30号
联 络 人 ﹕ 郭小姐 联络电话﹕ 03-5917707
報名網頁﹕ http://college.itri.org.tw/SeminarView1.aspx?no=20100019&msgno=306153
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随着电子系统产品往轻、薄、短、小、多、省、廉、快、美等发展趋势下,促使半导体技术朝两大方向发展,一是制程技术依照摩尔定律(Moore’s Law)不断微缩(More Moore),IC产品每隔1.5年左右制程微缩技术就会进入下一个世代,使得在相同面积下可容纳的晶体管数目倍增;二是高度半导体组件整合(More Than Moore),就是IC将整合不同功能、甚至是异质的组件(例如Logic、Analog、HV Power、Sensors、Biochips等),达到系统层级的目标。目前半导体的发展除了制程微缩技术之外,例如DRAM进入4xnm以及NAND Flash进入3xnm,还有SoC、SiP、以及3D IC立体封装等重要技术,而这些技术的发展涉及半导体产业上下游的资源投入与整合,将可能使半导体产业生态发生重大变革。

主流内存DRAM及Flash在2xnm以下将逐渐遇到制程微缩的挑战与瓶颈,而新世代内存的发展将可突破此限制,从不同的材料与设计着手,并将取代目前主流内存,集优点于一身。美日韩等各国均积极投入新世代内存的研发,台湾若无法掌握新世代内存,未来将可能被迫退出每年800亿美元的内存市场。新世代内存的战争已经开打,台湾不可缺席,应及早拟订战略,开创台湾内存产业的新天新地。

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